DDR2內(nèi)存除了與DDR內(nèi)存在顆粒等方面外形上的不同，從技術角度來說也有著更多的不同之處。我們主要從以下三個方面進行探討。

1、內(nèi)存時序延遲問題：

在相同的核心頻率情況下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這是因為DDR2內(nèi)存擁有兩倍于DDR內(nèi)存的4BIT預讀取能力。雖然DDR2和DDR進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞揭粯樱獶DR2卻擁有兩倍于DDR的預讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。 但是在同等工作頻率的DDR和DDR2內(nèi)存中，后者的內(nèi)存延時要慢于前者。所以較高的內(nèi)存時序延遲問題，也影響了DDR2內(nèi)存的性能，不過DDR2過高的工作頻率可以彌補這個缺點。

2、內(nèi)存的封裝和發(fā)熱量：

DDR2內(nèi)存除了有兩倍于DDR的傳輸能力，更重要的是它采用更低發(fā)熱量、更低功耗的FBGA封裝形式，使DDR2可以輕松實現(xiàn)頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。因為DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式超過200MHz或更高頻率時，它的管腳就會產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，提供了更好的電氣性能與散熱性，所以相對DDR來說更容易超頻。

3、DDR2采用的新技術：

相比較DDR,DDR2采用了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅(qū)動調(diào)整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。

ODT：ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。DDR2可以根據(jù)自已的特點內(nèi)建合適的終結(jié)電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。

Post CAS：它是為了提高DDR II內(nèi)存的利用效率而設定的。

簡單地總結(jié)一下，DDR2采用了FBGA封裝形式和新技術，以較低的發(fā)熱量和較高的工作頻率，能夠滿足未來PC對內(nèi)存帶寬的要求，在DDR3內(nèi)存還沒有普及的情況下，DDR2內(nèi)存在未來的幾年里仍是內(nèi)存技術發(fā)展的主流。當然DDR2內(nèi)存較高延遲等缺點也是不容忽視的。但是瑕不掩玉，淘汰DDR，推行DDR2已是各大IT廠商主要工作。