1.什么是相變內(nèi)存？

相變內(nèi)存“Phase-Change Memory”，簡稱“PCM”，是一種非易失性的內(nèi)存產(chǎn)品，是通過加熱的方法改變硫?qū)倩锊ＡВ╟halcogenide glass）的晶體狀態(tài)，從而實現(xiàn)信息的存儲。相變內(nèi)存結(jié)合了DRAM內(nèi)存的高速存取，以及閃存在關(guān)閉電源之后保留數(shù)據(jù)的特性，被業(yè)界視為未來閃存和內(nèi)存的替代品?？梢栽诓粍h除現(xiàn)有數(shù)據(jù)的情況下寫入數(shù)據(jù)，這比如今的內(nèi)存更為快捷。相變內(nèi)存的功耗只有現(xiàn)有閃存的一半，但是讀寫速度可以達(dá)到閃存的1000倍。

2.相變內(nèi)存的原理？

相變內(nèi)存實現(xiàn)的原理，是“通過加熱的方法改變硫?qū)倩锊ＡВ╟halcogenide glass）的晶體狀態(tài)，從而實現(xiàn)信息的存儲。”簡單的來說，就是一種非易失性DRAM，這是一個同時擁有內(nèi)存條的存儲傳輸效率，和FLASH存儲的非易失性的比較完美的方案。當(dāng)前使用的大多數(shù)閃存都有一個存放電荷的部分——“浮柵”，其設(shè)計特點是不會泄漏。因此，閃存可保持其存儲的數(shù)據(jù)并且只在讀、寫或擦掉信息時需要供電非易失性數(shù)據(jù)保留也是一般計算機應(yīng)用的一大優(yōu)勢，但是在閃存上寫入數(shù)據(jù)要比在DRAM或SRAM上寫入數(shù)據(jù)慢上千倍。而且，閃存存儲單元在被寫過大約10萬次以后就會降質(zhì)并且變得不再可靠。這對于許多消費應(yīng)用來說并不是問題，但對那些必須頻繁重寫的應(yīng)用，如計算機主存儲器或網(wǎng)絡(luò)的緩沖存儲器或存儲系統(tǒng)來說，這將會帶來問題。相變存儲器的核心是一小片半導(dǎo)體合金膜，它可以在有序的、具有更低電阻的結(jié)晶相位與無序的、具有更高電阻的非結(jié)晶相位之間快速轉(zhuǎn)換。因為無需電能來保持這種材料的任意一種相位，所以，相變存儲器是非易失性的。

3. 相變內(nèi)存的優(yōu)勢

相變內(nèi)存的優(yōu)點是，可以在不刪除現(xiàn)有數(shù)據(jù)的情況下寫入數(shù)據(jù)，這比如今的內(nèi)存更為快捷。同普通的Flash芯片相比，PCM內(nèi)存的數(shù)據(jù)寫入時間僅為1/500s，寫入時的耗電量也不足Flash芯片的1/2。

相變內(nèi)存相對來說是一種高性能組件，相變內(nèi)存的能耗更低，能夠在較小的空間中存儲大量的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)位也不容易被改變或損壞。相變內(nèi)存是非易失性的，而且可以節(jié)約能源。當(dāng)沒有信息讀取或者寫入的時候，就沒有能源消耗。相變內(nèi)存的寫入持久性要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于NAND。NAND閃存的生命周期大約在10000到100000個寫入周期，相變內(nèi)存的生命周期大約是它的三到五倍。

總之，相變內(nèi)存至少在寫入速度、讀寫壽命和功耗上，與閃存相比具有明顯的優(yōu)勢，而與傳統(tǒng)內(nèi)存相比，又具有非易失性的優(yōu)點。