DDR3內(nèi)存采用了ODT（核心整合終結(jié)器）技術以及用于優(yōu)化性能的EMRS技術，同時也允許輸入時鐘異步。在針腳定義方面，DDR3表現(xiàn)出很強的獨立性，甚至敢于徹底拋棄TSOPII與mBGA封裝形式，采用更為先進的FBGA封裝。DDR III內(nèi)存用了0.08微米制造工藝制造，將工作在1.5V的電壓下在DDR3系統(tǒng)中，對于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務的VREFDQ，這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級。

更低的電壓和power

新一代的DDR3在1.5V下工作，而DDR2是在1.8V下工作，相比來講DDR3可以節(jié)約有16%的電能。這樣可以彌補由于過多的操作頻率所產(chǎn)生的高電能消耗。同時，減少的能量消耗可以延長部件的使用壽命。

DDR3在電能的節(jié)約方面看起來像是一個局部更新機制。這樣寶貴的系統(tǒng)電池及電能資源將減少所需要消耗。在更新部分，動態(tài)隨機存取存儲器非積極用途上。它包括了一個熱傳感器，當系統(tǒng)沒有處于高性能要求時，以便系統(tǒng)支持最小的更新周期從而達到更長時間的電能節(jié)省。

更多的內(nèi)部BANKs

為了更高的系統(tǒng)速度，與DDR2的內(nèi)部4banks比DDR3采用內(nèi)部8banks。隨著動態(tài)隨機存取存儲器尺寸的增長，這將允許更先進的pre-fetch（預讀）而減少access latency（訪問反應時間）。

注冊模式的區(qū)別

由于集成了眾多特點，DDR3的初始化采用了一種新的方式。MRS（注冊模式）是re-engineered（雙引擎）從而加快并且更有效化內(nèi)存系統(tǒng)的配置。

Fly-by模塊布局

對于更高頻率的操作，DDR3在內(nèi)存模塊（DIMM）信號整合上更加嚴格。在極端頻率下，信號路徑不能再保持平穩(wěn)，但又不得不調(diào)整以匹配每一個動態(tài)隨機存取存儲器。這意味著地址和控制線路將成為一條獨立的取代DDR2中分支的T布局路徑的連接兩個動態(tài)隨機存取存儲器的路徑。這種方法去除了機械的線路平衡轉(zhuǎn)向了由固定在內(nèi)存系統(tǒng)訓練的控制者產(chǎn)生的自動的信號時間延遲。每一個DDR3 DRAM都有一個自動的水平電路作標準來記憶標準數(shù)值。