FB-DIMM 1.0標(biāo)準(zhǔn)對(duì)模組的物理規(guī)格作出了相當(dāng)詳細(xì)的定義，具體包括模組尺寸、金手指設(shè)計(jì)以及相關(guān)的電壓參數(shù)等。在這些方面，F(xiàn)B-DIMM并沒有太出奇的地方， Intel更多考慮到與現(xiàn)行生產(chǎn)設(shè)備的兼容問題，如FB-DIMM模組的尺寸為133.5毫米×30.5毫米，同現(xiàn)有的服務(wù)器內(nèi)存完全一樣。

模組中可以容納9顆、18顆或36顆DDR2/DDR3規(guī)格的內(nèi)存芯片，其中18顆芯片設(shè)計(jì)為標(biāo)準(zhǔn)方案—PCB的背面容納10顆、正面為8顆，正面中間位置留給緩沖控制芯片。如果要采用36顆芯片的高容量方案，估計(jì)要使用芯片疊加技術(shù)才行。另外，F(xiàn)B-DIMM模組的金手指仍有240個(gè)，與 DDR2內(nèi)存相同，區(qū)別只是缺口的位置不同而已。

由于增加了一枚芯片，F(xiàn)B-DIMM模組內(nèi)總共就要用到三種不同用途的電壓，驅(qū)動(dòng)DDR2內(nèi)存芯片的1.8V電壓，內(nèi)存“命令/地址”信號(hào)的終結(jié)器則要用到0.9V電壓，至于緩沖芯片本身必須用到1.5V驅(qū)動(dòng)電壓才行。

因此，F(xiàn)B-DIMM模組的供電設(shè)計(jì)會(huì)比現(xiàn)行DDR/DDR2模組要復(fù)雜一些。與之對(duì)應(yīng)的是功耗問題，非常奇怪的是，安裝位置不同但規(guī)格參數(shù)完全相同的FB-DIMM模組居然消耗不一樣的電能。第一條模組典型功耗為3.4W，而通道內(nèi)的最后一條模組一般只需消耗2.4W功耗，這種情況與緩沖控制芯片的任務(wù)指派機(jī)制有關(guān)，第一條模組的緩沖芯片必須承擔(dān)更多的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)和合并工作，相應(yīng)的，緩沖控制芯片的任務(wù)負(fù)擔(dān)也多一些，多消耗電能并不奇怪。

緩沖芯片工作在很高的頻率上，芯片發(fā)熱量必然比較可觀，有鑒于此，Intel也對(duì)它的散熱方案作出參考性的定義。利用一個(gè)固定在內(nèi)存PCB板上的彈簧片來夾緊散熱片，這一方案顯然比較簡(jiǎn)單，F(xiàn)B-DIMM內(nèi)存廠商也完全可以發(fā)展出其他的方案，比如說像現(xiàn)在不少高速DDR500內(nèi)存一樣，將模組兩面用金屬散熱片包覆起來，散熱效果估計(jì)會(huì)更好些。