雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存，即DDR SDRAM (Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 為具有雙倍數(shù)據(jù)傳輸率之SDRAM，其數(shù)據(jù)傳輸速度為系統(tǒng)頻率之兩倍，由于速度增加，其傳輸效能優(yōu)于傳統(tǒng)的SDRAM。

DDR是一種繼SDRAM后產(chǎn)生的 內(nèi)存技術(shù)，DDR，英文原意為“Double Data Rate”，顧名思義，就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”，也就意味著有“單”，我們?nèi)粘Ｋ褂玫腟DRAM都是“單數(shù)據(jù)傳輸模式”。

這種內(nèi)存的特性是在一個內(nèi)存時鐘周期中，在一個方波上升沿時進行一次操作（讀或?qū)懀?，而DDR則引用了一種新的設(shè)計，其在一個內(nèi)存時鐘周期中，在方波上升沿時進行一次操作，在方波的下降沿時也做一次操作，之所以在一個時鐘周期中，DDR則可以完成SDRAM兩個周期才能完成的任務(wù)，所以理論上同速率的DDR內(nèi)存與SDR內(nèi)存相比，性能要超出一倍，可以簡單理解為100MHZ DDR=200MHZ SDR。

DDR SDRAM模塊部份與SDRAM模塊相比，改為采用184針(pin)，4～6 層印刷電路板，電氣接口則由「LVTTL」改變?yōu)椤窼STL2」。在其它組件或封裝上則與SDRAM模塊相同。DDR SDRAM模塊一共有184個接腳，且只有一個缺槽，與SDRAM的模塊并不兼容。 DDR SDRAM在命名原則上也與SDRAM不同。SDRAM的命名是按照時鐘頻率來命名的，例如PC100與PC133。而DDR SDRAM則是以數(shù)據(jù)傳輸量作為命名原則，例如PC1600以及PC2100，單位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其實與 PC1600 是相同的規(guī)格，數(shù)據(jù)傳輸量為 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8＝1600MBytes/s)，而 DDR266與PC2100 也是一樣的情形(64bit×133MHz×2÷8＝2128MBytes/s)。

DDR SDRAM 在規(guī)格上按信號延遲時間(CL；CAS Latency，CL是指內(nèi)存在收到訊號后，要等待多少個系統(tǒng)時鐘周期后才進行讀取的動作。一般而言是越短越好，不過這還要看內(nèi)存顆粒的原始設(shè)定值，否則會造成系統(tǒng)的不穩(wěn)定)也有所區(qū)別。按照電子工程設(shè)計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會（JEDEC）的定義(規(guī)格書編號為JESD79)：DDR SDRAM一共有兩種CAS延遲，分為2ns以及2.5ns(ns為十億分之一秒)。較快的 CL= 2 加上 PC 2100 規(guī)格的 DDR SDRAM稱作 DDR 266A，而較慢的 CL= 2.5 加上PC 2100規(guī)格的DDR SDRAM 則稱作 DDR 266B。另外，較慢的 PC1600 DDR SDRAM 在這方面則是沒有特別的編號。