GDDR3是用于高性能顯卡的專用圖形儲(chǔ)存器。GDDR3是代替GDDR的標(biāo)準(zhǔn)，GDDR3標(biāo)準(zhǔn)借鑒了通用的DDR2的很多特性，并經(jīng)過進(jìn)一步優(yōu)化獲得更高的數(shù)據(jù)速率和更低的功耗。與GDDR相比，GDDR3的主要?jiǎng)?chuàng)新表現(xiàn)為：工作電壓從2.5V下降到1.8V；片內(nèi)信號(hào)端接取代了GDDR中末端接的信號(hào)線；動(dòng)態(tài)控制阻抗的輸出驅(qū)動(dòng)器；4位預(yù)取和單向單端數(shù)據(jù)選通。所有這些特性的綜合效果就是更高的數(shù)據(jù)速率、更好的信號(hào)完整性和更低的功耗。由于這些變化，GDDR3存儲(chǔ)器可以獲得比GDDR和DDR2標(biāo)準(zhǔn)高得多的數(shù)據(jù)速率。

當(dāng)然，顯存顆粒較長的延遲時(shí)間(CAS latency)一直是高頻率顯存的一大通病，GDDR3也不例外，GDDR3的CAS latency為5/6/7/8，相比之下GDDR2為3/4/5?？陀^地說，GDDR3相對(duì)于GDDR2在技術(shù)上并無突飛猛進(jìn)的進(jìn)步，但GDDR3的性能優(yōu)勢(shì)仍比較明顯。

GDDR4和GDDR3在基本技術(shù)上是一樣的，同屬于雙倍數(shù)據(jù)率內(nèi)存（與系統(tǒng)內(nèi)存的DDR、DDR2、DDR3有本質(zhì)區(qū)別），不過GDDR4通過使用Cutting-edge技術(shù)的Data Bus Inversion及Multi-Preamble技術(shù)，使其在理論上相對(duì)GDDR3的運(yùn)行效率提升了56%，使用GDDR4顯存能達(dá)到更高的工作頻率和更強(qiáng)的實(shí)際性能。但是DDR4的延遲是要大于DDR3