在固態(tài)硬盤知識介紹中經(jīng)常會提及MLC與SLC。SLC和MLC均是NAND Flash的存儲原理級技術(shù)，也可以理解為目前NAND Flash在存儲數(shù)據(jù)原理方面分道揚鑣的一個表現(xiàn)。

SLC全稱單層式儲存 (Single Level Cell），是指一個Block（塊，F(xiàn)lash的基本存儲單元，也可稱為Cell）只有兩種電荷值，高低不同的電荷值表明0或者1，因為只需要一組高低電壓就可以區(qū)分出0或者1信號，所以SLC最大的驅(qū)動電壓可以做到很低，傳統(tǒng)的雙電壓卡或者低電壓版本卡片肯定采用SLC類型的NAND Flash芯片。

SLC因為結(jié)構(gòu)簡單，在寫入數(shù)據(jù)時電壓變化的區(qū)間小，所以壽命較長，傳統(tǒng)的SLC Flash可以經(jīng)受10萬次的讀寫，因此出現(xiàn)壞Block的幾率較小，因為存儲結(jié)構(gòu)非常簡單，一組電壓即可驅(qū)動，所以其速度表現(xiàn)更好，目前所有的超高速卡都采用SLC類型的Flash芯片。不過這種一個Block只存儲一組數(shù)據(jù)的模式無法在相同的晶圓面積上實現(xiàn)較高的存儲密度，所以只能在工藝制程方面努力進步，才能滿足用戶在容量方面的要求。

MLC（多層式儲存—Multi Leveled Cell）是那種充分利用Block的技術(shù)，它采用較高的電壓驅(qū)動，通過不同級別的電壓在一個Block中記錄兩組位信息（00、01、11、10），這樣就可以將原本SLC的記錄密度理論提升一倍，這對于曾經(jīng)工藝制程遇到瓶頸的NAND Flash而言，是非常好的消息。不過MLC除了同制程、同晶圓面積時理論大一倍的記錄空間外，存在一些先天的弊端，比如說電壓區(qū)間更小，F(xiàn)lash就需要更多的CRC校驗空間，這會大概占據(jù)Block中10%的空間，因此實際使用中同制程同晶圓面積的MLC的容量不到SLC的一倍。因為電壓變化更頻繁，所以MLC技術(shù)的Flash在壽命方面遠劣于SLC，官方給出的可擦寫次數(shù)僅為1萬次，也就是說一張512MB的USB閃存盤，你寫入512MB的數(shù)據(jù)1萬次（理想狀態(tài)），它就完蛋了，這可能是MLC最要命的一個缺點。

MLC技術(shù)的Flash還有一個缺點，它的讀寫速度先天不如SLC，一個Block存儲兩組位數(shù)據(jù)，自然需要更長的時間，這里面還有電壓控制、CRC寫入方式等因素需要考慮。綜合而言，SLC在壽命和性能方面擁有獨特的優(yōu)勢，不過需要更好的工藝制程才能擁有較大的容量。而MLC雖然在容量方面有先天的優(yōu)勢，但在速度和壽命方面存在先天的不足。

總結(jié)：MLC是低成本解決方案，而SLC高性能高成本的代表者，兩者的性能（尤其是隨機寫入方面）、讀寫壽命都存在很大差異。