內(nèi)存延遲表示系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存相應(yīng)的時(shí)間，它通常用4個(gè)連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來(lái)表示，例如“3-4-4-8”，一般而言四個(gè)數(shù)中越往后值越大，這4個(gè)數(shù)字越小，表示內(nèi)存性能越好。由于沒(méi)有比2-2-2-5更低的延遲，因此國(guó)際內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)組織認(rèn)為以現(xiàn)在的動(dòng)態(tài)內(nèi)存技術(shù)還無(wú)法實(shí)現(xiàn)0或者1的延遲。但也并非延遲越小內(nèi)存性能越高，因?yàn)镃L-TRP-TRCD-TRAS這四個(gè)數(shù)值是配合使用的，相互影響的程度非常大，并且也不是數(shù)值最大時(shí)其性能也最差，那么更加合理的配比參數(shù)很重要。

CAS延時(shí)，有時(shí)也稱為CL或CAS，是RAM必須等待直到它可以再次讀取或?qū)懭氲淖钚r(shí)鐘數(shù)。很明顯，這個(gè)數(shù)字越低越好。 

tRCD是內(nèi)存中特殊行上的數(shù)據(jù)被讀取/寫(xiě)入之前的延遲。這個(gè)數(shù)字也是越低越好。 

tRP主要是行預(yù)充電的時(shí)間。tRP是系統(tǒng)在向一行寫(xiě)入數(shù)據(jù)之后，在另一行被激活之前的等待時(shí)間。越低越好。 

tRAS是行被激活的最小時(shí)間。所以基本上tRAS是指行多少時(shí)間之內(nèi)必須被開(kāi)啟。這個(gè)數(shù)字隨著RAM設(shè)置，變化相當(dāng)多。 

從總的延遲時(shí)間來(lái)看，CL值的大小起到了很關(guān)鍵的作用。所以對(duì)系統(tǒng)要求高和喜歡超頻的用戶通常喜歡購(gòu)買CL值較低的內(nèi)存。目前各內(nèi)存顆粒廠商除了從提高內(nèi)存時(shí)鐘頻率來(lái)提高DDR的性能之外，已經(jīng)考慮通過(guò)更進(jìn)一步的降低CAS延遲時(shí)間來(lái)提高內(nèi)存性能。

不過(guò)，并不是說(shuō)CL值越低性能就越好，因?yàn)槠渌囊蛩貢?huì)影響這個(gè)數(shù)據(jù)。