電子盤(pán)，顧名思義就是采用集成電路作存儲(chǔ)器，而不象傳統(tǒng)的硬盤(pán)采用磁介質(zhì)做存儲(chǔ)器。相應(yīng)地，電子盤(pán)有些特點(diǎn)，和普通硬盤(pán)比較如下：

優(yōu)點(diǎn)：對(duì)低容量而言可以有較低的成本；低功耗，省電；防震，抗污染能力強(qiáng)；無(wú)噪音，不存在尋道錯(cuò)誤。尤其是因?yàn)榉勒鸬确矫姹容^可靠而廣泛用于工業(yè)控制環(huán)境。

缺點(diǎn)：相對(duì)而言，每MB的成本較高；相對(duì)較慢的寫(xiě)入速度。

DOC:Disk on Chip 電子硬盤(pán)

EPROM兼容的電子接口

高效能-1.4／0.5 Mbytes／秒持續(xù)讀寫(xiě)能力

EDC／ECC提供最佳資料可靠性

廣泛處理器／操作系統(tǒng)（O／S）支持

Windows CE Persistent Registry最佳解決方案

含有記憶窗口

最具成本效益的解決方案

低電源耗損。

DOF:Disk on FlashRom 電子硬盤(pán)

DOM:Disk on Module 電子硬盤(pán)

廣泛應(yīng)用于POS，ROS，ATM，游戲機(jī)，IPC等領(lǐng)域。

1、小巧的外形適應(yīng)集成化更高的系統(tǒng)，可以根據(jù)客戶(hù)要求特殊設(shè)計(jì)

2、良好的硬件兼容特性，滿(mǎn)足不同主板的時(shí)序要求

3、防潮防干特性?xún)?yōu)良，可以滿(mǎn)足特殊環(huán)境的要求 4、速度可以匹敵高速的機(jī)械式硬盤(pán)（讀寫(xiě)30MB／s）

5、更寬的溫度范圍（－40～＋85℃）

6、能夠提供128MB～8GB的存儲(chǔ) 從接口形式上，分為40 pin和44 pin DOM。從接口與PCB的位置上看，可以分為臥式和立式 DOM。從應(yīng)用環(huán)境（工作溫度）上分，可分為商業(yè)級(jí)（0～70℃）和工業(yè)級(jí)（－40～＋85℃）。

SSD：SSD固態(tài)硬盤(pán)是由控制單元和存儲(chǔ)單元（FLASH芯片）兩部分組成。存儲(chǔ)單元負(fù)責(zé)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，控制單元負(fù)責(zé)讀取、寫(xiě)入數(shù)據(jù)。由于固態(tài)硬盤(pán)沒(méi)有普通硬盤(pán)的機(jī)械結(jié)構(gòu)，因而系統(tǒng)能夠在低于1ms的時(shí)間內(nèi)對(duì)任意位置存儲(chǔ)單元完成I/O（輸入/輸出）操作。而且，固態(tài)硬盤(pán)也不存在機(jī)械硬盤(pán)的尋道問(wèn)題?！?/p>

基于非永久性存儲(chǔ)器

由非永久性存儲(chǔ)器制成的固態(tài)硬盤(pán)主要用于臨時(shí)性存儲(chǔ)。因?yàn)檫@類(lèi)存儲(chǔ)器需要靠外界電力維持其記憶，所以由此制成的固態(tài)硬盤(pán)還需要配合電池才能使用。非永久性存儲(chǔ)器，例如SDRAM，具有訪(fǎng)問(wèn)速度快的特點(diǎn)。利用這一特點(diǎn)，可以將需要運(yùn)行的程序首先從常規(guī)硬盤(pán)復(fù)制到固態(tài)硬盤(pán)中，然后再交由計(jì)算機(jī)執(zhí)行，這樣可以避免由于硬盤(pán)的啟停延遲、尋道延遲對(duì)程序性能造成的影響。

此外，由非永久性存儲(chǔ)器制成的固態(tài)硬盤(pán)還用于應(yīng)急備份。當(dāng)電源意外中斷時(shí)，靠電池驅(qū)動(dòng)的這類(lèi)固態(tài)硬盤(pán)可以有足夠的時(shí)間將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到常規(guī)硬盤(pán)中。當(dāng)電力恢復(fù)后，再?gòu)某Ｒ?guī)硬盤(pán)中恢復(fù)數(shù)據(jù)。

基于永久性存儲(chǔ)器

永久性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存取速度介于非永久性存儲(chǔ)器和常規(guī)硬盤(pán)之間。和非永久性存儲(chǔ)器相比，永久性存儲(chǔ)器一經(jīng)寫(xiě)入數(shù)據(jù)，就不需要外界電力來(lái)維持其記憶。因此更適于作為常規(guī)硬盤(pán)的替代品。

閃存是最常見(jiàn)的永久性存儲(chǔ)器。小容量的閃存可被制作成帶有USB接口的移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備，亦即人們常說(shuō)的“優(yōu)盤(pán)”。隨著生產(chǎn)成本的下降，將多個(gè)大容量閃存模塊集成在一起，制成以閃存為存儲(chǔ)介質(zhì)的固態(tài)硬盤(pán)已成為可能。