ORNAND是以第二代MirrorBit技術為基礎，第一代MirrorBit技術由AMD公司在2001年提出，目的是克服NOR閃存密度低的缺陷，開發(fā)出較大容量的產品。

Spansion MirrorBit技術的功能與英特爾的MLC方案非常類似，它也是通過讓一個基本存儲單元中存儲兩個比特位，實現(xiàn)容量增倍的目的。但MLC只是利用一個浮動柵，通過精確的電荷控制來實現(xiàn)雙比特位的表達，而MirrorBit技術則是在一個浮動柵的兩側分別構建彼此獨立的信息位，兩者通過非導體硅間隔（MLC為導體硅材料）。這樣每個信息位在讀取或編程操作時都不會影響到另一側的信息位，由此在一個存儲單元內實現(xiàn)兩個比特位信息的存儲，相當于記錄密度提高了一倍，而所付出的代價就是需要少許增加晶體管內的邏輯單元。在操作模式方面，MirrorBit也明顯優(yōu)于MLC，后者要求以一個浮動柵內的兩位比特作為基本操作單位，也就是無論讀取、寫入、擦除都必須同時涉及這兩個比特位，不僅做法僵化且?guī)砀吖摹⒌托阅芎偷涂煽啃缘谋锥?；MirrorBit仍然以單個比特作為基本操作單元，浮動柵兩側的信息位不會相互干擾，效果等同于擁有兩個浮動柵，因此MirrorBit閃存可具有與SLC相同的低功耗、高性能和高可靠性優(yōu)點，又能夠將存儲密度提高一倍，堪稱一項完美的解決方案。再者，MirrorBit技術擁有更低的制造成本，其關鍵制造步驟要比傳統(tǒng)的NOR減少40％，總體制造步驟則可以減少10％，這在很大程度上降低了芯片的制造成本。遺憾的是，由于Spansion的半導體制造實力遠遜于英特爾，產品制造成本較高，MirrorBit在這方面的優(yōu)勢也無從發(fā)揮，這也是在過去兩年間英特爾在市場上擊敗Spansion的主要緣由。