Rambus XDR DRAM是eXtreme Data Rate DRA的縮寫，也是Rambus“Yellowstone”技術(shù)的最新產(chǎn)品。從官方提供的技術(shù)參數(shù)來看，它是目前最高性能的內(nèi)存子系統(tǒng)的解決方案。XDR接口通過獨立使用地址線，數(shù)據(jù)線和控制線來提高內(nèi)存的傳輸性能。Rambus XDR™ DRAM 是具備 3.2 和 4.0 GHz 數(shù)據(jù)率的高性能內(nèi)存，將來的目標是支持 4.8、6.4 和 8.0 GHz 數(shù)據(jù)率。 由于適合諸如圖形處理、消費電子、網(wǎng)絡和服務器等高頻寬和價格敏感的系統(tǒng)，XDR DRAM 設備成為 Rambus XDR 內(nèi)存解決方案的重要組成部分。它使用標準 CMOS DRAM 處理技術(shù)采用的 8 個內(nèi)存庫的 DRAM 核心，目前的產(chǎn)品比特密度是 256Mb 和 512Mb。 與其它 DRAM 裝置不同，x16 XDR DRAM 裝置采用可編程頻寬，支持 8 位、4 位、有時是 2 位的數(shù)據(jù)總線。 此外，XDR DRAM 裝置還有許多其它架構(gòu)增強功能，以其更高的效率和容量使其它內(nèi)存技術(shù)相形見拙。 XDR DRAM 內(nèi)存解決方案為頻寬要求高的產(chǎn)品提供了可以成功滿足現(xiàn)今市場需求的性能。

隨著CPU時鐘和前端總線頻率的不斷提升，現(xiàn)有的內(nèi)存技術(shù)終究會不能滿足內(nèi)存子系統(tǒng)的需求。而Rambus XDR DRAM技術(shù)提供了一種全新的串行內(nèi)存架構(gòu)，這種新型的XDR技術(shù)能夠在今后十幾年的時間內(nèi)，滿足各種應用的需求。Rambus XDR DRAM使用新型的界面，標準的3.2GHz XDR DRAM提供的峰值帶寬是當今DDR400的8倍，并且Rambus公司言稱，可以通過調(diào)節(jié)XDR DRAM的時鐘頻率來獲得更高的傳輸速率。

和DDR，DDR－II模塊相比，XDR模塊的時鐘頻率并不比它們高，根據(jù)不同的內(nèi)存帶寬（2.8GB/s至8.0GB/s），XDR模塊的時鐘頻率分為3個檔次，并且在2010年前，Rambus公司宣布把內(nèi)存的峰值帶寬提升到12.8GB/s。在6.4GB/s的峰值帶寬下，XDR時鐘運行在400MHz的頻率下，每個時鐘周期進行8bit的數(shù)據(jù)傳輸，相比之下，DDR SDRAM只能在一個時鐘周期進行2bit的數(shù)據(jù)傳輸。這就是XDR 技術(shù)中最新的“8分頻”技術(shù)，它是XDR DRAM能夠提供高速傳輸速率的核心技術(shù)。在一個時鐘周期內(nèi)（一個上升沿和一個下降沿），XDR DRAM進行了4次時鐘采樣，在采樣的每個上升沿和下降沿都傳輸了1bit的數(shù)據(jù)，因此在一個時鐘周期內(nèi)，XDR可以傳輸8bit的數(shù)據(jù)。