FB-DIMM(Fully Buffered-DIMM，全緩沖內(nèi)存模組)是Intel在DDR2、DDR3的基礎(chǔ)上發(fā)展出來的一種新型內(nèi)存模組與互聯(lián)架構(gòu)，既可以搭配現(xiàn)在的DDR2內(nèi)存芯片，也可以搭配未來的DDR3內(nèi)存芯片。因?yàn)閮?nèi)存控制器是通過AMB芯片同DRAM芯片交互的，實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)并非不可能。

應(yīng)用FB-DIMM技術(shù)的平臺(tái)最高可支持6個(gè)通道，每通道可支持8 DIMMs，每DIMM可支持2 Ranks內(nèi)存模組。目前最高容量的FB-DIMM內(nèi)存為4GB，因此理論上該平臺(tái)最高可配置192GB的內(nèi)存。從Intel已經(jīng)發(fā)布的Intel 5000系列芯片組來看，他們最多支持4個(gè)通道，每通道支持4個(gè)DIMMs，理論上可配置64GB內(nèi)存。不過，就我們目前所看到已經(jīng)發(fā)布的服務(wù)器而言，大部分是配置了8 DIMM，因此最大內(nèi)存容量為32GB。每個(gè)FB-DIMM通道的數(shù)據(jù)輸出帶寬可達(dá)6.7GB/s，6個(gè)通道總共可以提供40.2GB/s的內(nèi)存帶寬。即便是現(xiàn)在的Intel 5000P芯片組也可以提供26.8GB/s。

FB-DIMM與XDR相比較，雖然性能不及全新架構(gòu)的XDR，但成本卻比XDR要低廉得多。與現(xiàn)有的普通DDR2內(nèi)存相比，F(xiàn)B-DIMM技術(shù)具有極大的優(yōu)勢:在內(nèi)存頻率相同的情況下目前能提供四倍于普通內(nèi)存的帶寬，并且能支持的最大內(nèi)存容量也達(dá)到了普通內(nèi)存的24倍，系統(tǒng)最大能支持192GB內(nèi)存。FB-DIMM最大的特點(diǎn)就是采用已有的DDR2內(nèi)存芯片(以后還將采用DDR3內(nèi)存芯片)，但它借助內(nèi)存PCB上的一個(gè)緩沖芯片AMB(Advanced Memory Buffer，高級(jí)內(nèi)存緩沖)將并行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為串行數(shù)據(jù)流，并經(jīng)由類似PCI Express的點(diǎn)對點(diǎn)高速串行總線將數(shù)據(jù)傳輸給處理器。與普通的DIMM模塊技術(shù)相比，F(xiàn)B-DIMM與內(nèi)存控制器之間的數(shù)據(jù)與命令傳輸不再是傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的并行線路，而采用了類似于PCI-Express的串行接口多路并聯(lián)的設(shè)計(jì)，以串行的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。在這種新型架構(gòu)中，每個(gè)DIMM上的緩沖區(qū)是互相串聯(lián)的，之間是點(diǎn)對點(diǎn)的連接方式，數(shù)據(jù)會(huì)在經(jīng)過第一個(gè)緩沖區(qū)后傳向下一個(gè)緩沖區(qū)，這樣，第一個(gè)緩沖區(qū)和內(nèi)存控制器之間的連接阻抗就能始終保持穩(wěn)定，從而有助于容量與頻率的提升。

綜上所述，嚴(yán)格說來FB-DIMM并不是一種全新的內(nèi)存類型，而只是一種能極大的提升內(nèi)存性能的連接技術(shù)，它并不涉及到內(nèi)存的核心技術(shù)的改變，而是利用了現(xiàn)有的DRAM芯片，只是在系統(tǒng)架構(gòu)與互聯(lián)方式上進(jìn)行了新的嘗試?？梢姡現(xiàn)B-DIMM技術(shù)大大提高了服務(wù)器平臺(tái)內(nèi)存容量和帶寬，為X86服務(wù)器進(jìn)入更高端應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。