每個內存芯片也有自己的位寬，即每個傳輸周期能提供的數據量。理論上，完全可以做出一個位寬為64bit的芯片來滿足P-Bank的需要，但這對技術的要求很高，在成本和實用性方面也都處于劣勢。所以芯片的位寬一般都較小。臺式機市場所用的SDRAM芯片位寬最高也就是16bit，常見的則是8bit。這樣，為了組成P-Bank所需的位寬，就需要多顆芯片并聯工作。對于16bit芯片，需要4顆（4×16bit=64bit）。對于8bit芯片，則就需要8顆了。這就是就是芯片位寬、芯片數量與P-Bank的關系。P-Bank其實就是一組內存芯片的集合，這個集合的容量不限，但這個集合的總位寬必須與CPU數據位寬相符。隨著計算機應用的發(fā)展，一個系統(tǒng)只有一個P-Bank已經不能滿足容量的需要。所以，芯片組開始可以支持多個P-Bank，一次選擇一個P-Bank工作，這就有了芯片組支持多少（物理）Bank的說法。而在Intel的定義中，則稱P-Bank為行（Row），比如845G芯片組支持4個行，也就是說它支持4個P-Bank。另外，在一些文檔中，也把P-Bank稱為Rank（列）。

SDRAM、DDR和DDRⅡ的總線位寬為64位，RDRAM的位寬為16位。而這兩者在結構上有很大區(qū)別：SDRAM、DDR和DDRⅡ的64位總線必須由多枚芯片共同實現，計算方法如下：內存模組位寬=內存芯片位寬×單面芯片數量（假定為單面單物理BANK）；如果內存芯片的位寬為8位，那么模組中必須、也只能有8顆芯片，多一枚、少一枚都是不允許的；如果芯片的位寬為4位，模組就必須有16顆芯片才行，顯然，為實現更高的模組容量，采用高位寬的芯片是一個好辦法。而對RDRAM來說就不是如此，它的內存總線為串聯架構，總線位寬就等于內存芯片的位寬。