SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）的簡(jiǎn)稱，是前幾年普遍使用的內(nèi)存形式。SDRAM采用3.3v工作電壓，帶寬64位，SDRAM將CPU與RAM通過一個(gè)相同的時(shí)鐘鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個(gè)時(shí)鐘周期，以相同的速度同步工作，與 EDO內(nèi)存相比速度能提高50％。SDRAM基于雙存儲(chǔ)體結(jié)構(gòu)，內(nèi)含兩個(gè)交錯(cuò)的存儲(chǔ)陣列，當(dāng)CPU從一個(gè)存儲(chǔ)體或陣列訪問數(shù)據(jù)時(shí)，另一個(gè)就已為讀寫數(shù)據(jù)做好了準(zhǔn)備，通過這兩個(gè)存儲(chǔ)陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡上的顯存方面也有廣泛應(yīng)用。SDRAM曾經(jīng)是長(zhǎng)時(shí)間使用的主流內(nèi)存，從430TX芯片組到845芯片組都支持SDRAM。但隨著DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市場(chǎng)。

內(nèi)存芯片要想工作，必須要與內(nèi)存控制器有所聯(lián)系，同時(shí)對(duì)于一個(gè)電氣元件，電源供應(yīng)也是必不可少的，而且數(shù)據(jù)的傳輸要有一個(gè)時(shí)鐘作為觸發(fā)參考。因此，SDRAM在封裝時(shí)就要留出相應(yīng)的引腳以供使用。至少應(yīng)該有哪些控制引腳呢？

從內(nèi)存尋址的步驟縷下來就基本明白了，從中我們也就能了解內(nèi)存工作的大體情況。這里需要說明的是，與DIMM一樣，SDRAM有著自己的業(yè)界設(shè)計(jì)規(guī)范，在一個(gè)容量標(biāo)準(zhǔn)下，SDRAM的引腳/信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)不能只考慮一種位寬的設(shè)計(jì)，而是要顧及多種位寬，然后盡量給出一個(gè)通用的標(biāo)準(zhǔn)，小位寬的芯片也許會(huì)空出一些引腳，但高位寬的芯片可能就全部用上了。不過容量不同時(shí)，設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)也會(huì)有所不同，一般的容量越小的芯片所需要的引腳也就越小。

1、 首先，我們知道內(nèi)存控制器要先確定一個(gè)P-Bank的芯片集合，然后才對(duì)這集合中的芯片進(jìn)行尋址操作。因此要有一個(gè)片選的信號(hào)，它一次選擇一個(gè)P-Bank的芯片集（根據(jù)位寬的不同，數(shù)量也不同）。被選中的芯片將同時(shí)接收或讀取數(shù)據(jù)，所以要有一個(gè)片選信號(hào)。

2、 接下來是對(duì)所有被選中的芯片進(jìn)行統(tǒng)一的L-Bank的尋址，目前SDRAM中L-Bank的數(shù)量最高為4個(gè)，所以需要兩個(gè)L-Bank地址信號(hào)（22=4）。

3、 最后就是對(duì)被選中的芯片進(jìn)行統(tǒng)一的行/列（存儲(chǔ)單元）尋址。地址線數(shù)量要根據(jù)芯片的組織結(jié)構(gòu)分別設(shè)計(jì)了。但在相同容量下，行數(shù)不變，只有列數(shù)會(huì)根據(jù)位寬的而變化，位寬越大，列數(shù)越少，因?yàn)樗璧拇鎯?chǔ)單元減少了。

4、 找到了存儲(chǔ)單元后，被選中的芯片就要進(jìn)行統(tǒng)一的數(shù)據(jù)傳輸，那么肯定要有與位寬相同數(shù)量的數(shù)據(jù)I/O通道才行，所以肯定要有相應(yīng)數(shù)量的數(shù)據(jù)線引腳。