物理內(nèi)存是指RAM芯片安裝在計算機(jī)內(nèi)部的存儲器?，F(xiàn)在常見或常聽到的物理內(nèi)存有：EDO、SDR、DDR、DDR2、RDRAM

EDO是Extended Data Out（擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出）的簡稱，它取消了主板與內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔，每隔2個時鐘脈沖周期傳輸一次數(shù)據(jù)，大大地縮短了存取時間，使存取速度提高30％，達(dá)到60ns。EDO內(nèi)存主要用于72線的SIMM內(nèi)存條，以及采用EDO內(nèi)存芯片的PCI顯示卡。這種內(nèi)存流行在486以及早期的奔騰計算機(jī)系統(tǒng)中，它有72線和168線之分，采用5V工作電壓，帶寬32 bit，必須兩條或四條成對使用，可用于英特爾430FX/430VX甚至430TX芯片組主板上。目前也已經(jīng)被淘汰，只能在某些老爺機(jī)上見到。

SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步動態(tài)隨機(jī)存儲器）的簡稱，是前幾年普遍使用的內(nèi)存形式。SDRAM采用3.3v工作電壓，帶寬64位，SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，與 EDO內(nèi)存相比速度能提高50％。SDRAM基于雙存儲體結(jié)構(gòu)，內(nèi)含兩個交錯的存儲陣列，當(dāng)CPU從一個存儲體或陣列訪問數(shù)據(jù)時，另一個就已為讀寫數(shù)據(jù)做好了準(zhǔn)備，通過這兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡上的顯存方面也有廣泛應(yīng)用。SDRAM曾經(jīng)是長時間使用的主流內(nèi)存，從430TX芯片組到845芯片組都支持SDRAM。但隨著DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市場。

DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（雙數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器）的簡稱，是由VIA等公司為了與RDRAM相抗衡而提出的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。DDR SDRAM是SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品，采用2.5v工作電壓，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的傳輸速率和內(nèi)存帶寬，例如DDR 266與PC 133 SDRAM相比，工作頻率同樣是133MHz，但內(nèi)存帶寬達(dá)到了2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流的芯片組都支持DDR SDRAM，是目前最常用的內(nèi)存類型。

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。?。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。

此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實(shí)的基礎(chǔ)?；叵肫餌DR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨。

RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory（存儲器總線式動態(tài)隨機(jī)存儲器）的簡稱，是Rambus公司開發(fā)的具有系統(tǒng)帶寬、芯片到芯片接口設(shè)計的內(nèi)存，它能在很高的頻率范圍下通過一個簡單的總線傳輸數(shù)據(jù)，同時使用低電壓信號，在高速同步時鐘脈沖的兩邊沿傳輸數(shù)據(jù)。最開始支持RDRAM的是英特爾820芯片組，后來又有840，850芯片組等等。RDRAM最初得到了英特爾的大力支持，但由于其高昂的價格以及Rambus公司的專利許可限制，一直未能成為市場主流，其地位被相對廉價而性能同樣出色的DDR SDRAM迅速取代，市場份額很小。