Automatic Configuration“自動設(shè)置”（可能的選項：On/ Off或Enable/Disable）

可能出現(xiàn)的其他描述為：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手動調(diào)整你的內(nèi)存時序，你應該關(guān)閉它，之后會自動出現(xiàn)詳細的時序參數(shù)列表。

Bank Interleaving（可能的選項：Off/Auto/2/4）

這里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的內(nèi)存芯片都是由4個L-Bank所組成，為了最大限度減少尋址沖突，提高效率，建議設(shè)為4（Auto也可以，它是根據(jù)SPD中的L-Bank信息來自動設(shè)置的）。

Burst Length“突發(fā)長度”（可能的選項：4/8）

一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4單通道平臺，建議設(shè)為8，如果是Pentium4或AMD 64的雙通道平臺，建議設(shè)為4。但具體的情況要視具體的應用而定。

CAS Latency “列地址選通脈沖潛伏期”（可能的選項：1.5/2/2.5/3）

BIOS中可能的其他描述為：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。

Command Rate“首命令延遲”（可能的選項：1/2）

這個選項目前已經(jīng)非常少見，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內(nèi)存的尋址，先要進行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時鐘周期。顯然，也是越短越好。但當隨著主板上內(nèi)存模組的增多，控制芯片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩(wěn)定性。因此當你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時間，才需要將此參數(shù)調(diào)長。目前的大部分主板都會自動設(shè)置這個參數(shù)，而從上文的ScienceMark 2.0測試中，大家也能察覺到容量與延遲之間的關(guān)系。

RAS Precharge Time “行預充電時間”（可能的選項：2/3/4）

BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。

RAS-to-CAS Delay“行尋址至列尋址延遲時間”（可能的選項：2/3/4/5）

BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。

Active to Precharge Delay“行有效至行預充電時間”（可能的選項：1……5/6/7……15）

BIOS中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay等。這個參數(shù)要根據(jù)實際情況而定，具體設(shè)置思路見上文，并不是說越大或越小就越好。