閃存(Flash Memory)是非掉電易失性內存的一種，具有關掉電源仍可保存數(shù)據(jù)的優(yōu)點，同時又具備掉電易失性內存可重復讀寫且讀寫速度快、單位體積內可儲存最多數(shù)據(jù)量，以及低功耗特性等優(yōu)點。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS、PDA、數(shù)碼相機中保存資料等。另一方面，閃存不像RAM以字節(jié)為單位改寫數(shù)據(jù)，因此不能取代RAM。近年來由于手機、PDA、MP3、DSC等應用系統(tǒng)的帶動，F(xiàn)lash Memory的需求量和容量也有了跳躍式的成長。 

Flash Memory的標準物理結構，稱之為基本位(cell)；一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制閘(Control gate)與通道間多了一層稱為“浮閘”(floating gate)的物質。借助這層浮閘，使得Flash Memory可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式；就算在不提供電源給內存的環(huán)境下，也能透過此浮閘，來保存數(shù)據(jù)的完整性。

Flash Memory芯片中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區(qū)還原為正常的Flash Memory采用內部閉合電路，這樣不僅使電子區(qū)能夠作用于整個芯片，還可以預先設定“區(qū)塊”(Block)。在設定區(qū)塊的同時就將芯片中的目標區(qū)域擦除干凈，以備重新寫入。傳統(tǒng)的EEPROM芯片每次只能擦除一個字節(jié)，而Flash Memory每次可擦寫一塊或整個芯片。Flash Memory的工作速度大幅領先于傳統(tǒng)EEPROM芯片。

從技術層面看，根據(jù)內存晶體管設計架構之不同可分為Cell Type以及Operation Type兩種，后者依功能別又可區(qū)分為Code Flash(儲存程序代碼)以及Data Flash(儲存一般數(shù)據(jù))；其中Code Flash驅動方式有NOR及DINOR，而Data Flash的驅動方式則有NAND及AND。

NOR型與NAND型閃存的區(qū)別很大，打個比方說，NOR型閃存更像內存，有獨立的地址線和數(shù)據(jù)線，但價格比較貴，容量比較?。欢鳱AND型更像硬盤，地址線和數(shù)據(jù)線是共用的I/O線，類似硬盤的所有信息都通過一條硬盤線傳送一般，而且NAND型與NOR型閃存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型閃存比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用于存儲程序代碼并直接在閃存內運行，手機就是使用NOR型閃存的大戶，所以手機的“內存”容量通常不大；NAND型閃存主要用來存儲資料，我們常用的閃存產品，如閃存盤、數(shù)碼存儲卡都是用NAND型閃存。