MLC（Multi-Level-Cell）技術，由英特爾于1997年率先推出，能夠讓單個存儲單元保存兩倍的數(shù)據(jù)量。MLC內存顆粒是個相當良好的低價解決方案，可大幅節(jié)省制造商端的成本，但是MLC NAND顆粒制成的CompactFlash卡相較于SLC（Single-Lecel_Cell） 內存顆粒的產品有著寫入速度慢、耗電多、壽命短的缺點，MLC顆粒制成的產品只有10X（1.5Mbyte/sec）的寫入速度，SLC 顆粒制成的產品可以達到 22X（3.2Mbyte/sec）的寫入速度。Intel 在1997年9月最先開發(fā)成功，能夠讓單個存儲單元保存兩倍的數(shù)據(jù)量；
SLC 與 MLC 的參數(shù)對比：
|
Item
|
SLC
|
MLC
|
|
電壓
|
3.3V/1.8V
|
3.3V
|
|
生產工藝 / 芯片尺寸
|
0.12um
|
0.16um
|
|
頁容量 / 塊容量
|
2KB/128KB
|
512KB/32KB or 2KB/256KB
|
|
訪問時間（最大）
|
25us
|
70us
|
|
頁編程時間（典 型）
|
250us
|
1.2ms
|
|
可否局部編程
|
Yes
|
No
|
|
擦寫次數(shù)
|
100K
|
10K
|
|
數(shù)據(jù)寫入速率
|
8MB/S+
|
1.5MB/S
|
微信公眾平臺
