對于內(nèi)存而言，并不是只要采用同樣型號的顆粒，內(nèi)存的性能指標(biāo)就會相同。因?yàn)榧幢銓ν恍吞柕膬?nèi)存顆粒而言，也有等級之分，不同等級的顆粒，其性能也會有所區(qū)別，同時，更重要的，內(nèi)存生產(chǎn)廠商的設(shè)計能力與生產(chǎn)工藝也會在很大程度上影響內(nèi)存的性能與指標(biāo)。DDR2時代，三星全面進(jìn)入到GC和ZC(G為FBGA封裝方式，Y為FBGA-LF)系列，另外還有SC和YC，并采用90nm生產(chǎn)工藝，使相同晶元可以生產(chǎn)出更多的顆粒，從而降低了成本。YC是外形最小的一種封裝方式，性能表現(xiàn)也最好，現(xiàn)在市面上很少見到。

從整體來看，目前較常見到的三星DDR2內(nèi)存顆粒有GCCC(多用于DDR2-400)、GCD5/ZCD5(多用于DDR2-533)、GCD6/ZCE6(多用于DDR2-667)、GCF7/ZCE7(多用于DDR2-800)等；這些內(nèi)存顆粒在超頻方面同樣有著不容小視的實(shí)力，且仍保持低延遲風(fēng)格。

GCCC是常見的三星DDR2內(nèi)存顆粒，多用于DDR2-400產(chǎn)品，目前已經(jīng)基本被淘汰。

ZCD5顆粒的三星金條DDR2-533內(nèi)存在不加電壓超頻情況下，能夠以4-4-4-X的時序穩(wěn)定工作在DDR2-667模式，超頻能力非常強(qiáng)悍。

三星金條DDR2-667，采用ZCE6顆粒，默認(rèn)CL值為4。通過提升電壓的手段，運(yùn)行頻率可以達(dá)到750MHz，甚至更高。

ZEC7顆粒三星最高端的金條DDR2-800，也被多數(shù)其它內(nèi)存品牌所采用。

需要提醒大家注意的是，許多人注意到，在三星更改編號即將“SAMSUNG”改為“SEC”后，三星內(nèi)存顆粒的默認(rèn)時序參數(shù)設(shè)置，與之前相比，要保守得多。