DDR3是繼DDR2以及更早的DDR內(nèi)存技術(shù)之后的新一代產(chǎn)品，該產(chǎn)品將打破千兆赫速度的局限性，將內(nèi)存速度提升到一個(gè)前所未有的水平。DDR3內(nèi)存的特點(diǎn)是更快的速度、更高的數(shù)據(jù)帶寬、更低的工作電壓和功耗，以及更好的散熱性能。DDR3內(nèi)存設(shè)計(jì)的目的是支持需要更高數(shù)據(jù)帶寬的下一代四核處理器，使其性能更出色。DDR3內(nèi)存模塊分為1066MHz、1333MHz和1600MHz三種頻率（數(shù)據(jù)傳輸速率），其中1066MHz和1333MHz DDR3于2007年全面面市，1600MHz DDR3計(jì)劃于2008年正式推出。

DDR3內(nèi)存的主要特征:

1.DDR3內(nèi)存是當(dāng)今享有最高速度之稱的DDR2內(nèi)存產(chǎn)品速度的兩倍。

2.DDR3內(nèi)存有望在今年我們的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中使用。

3.DDR3的主要優(yōu)勢是可以在更高的帶寬和更低的功耗下提升性能。

4.DDR3 SDRAM設(shè)備將使數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到1600Mbps。

5.8bit預(yù)取設(shè)計(jì)，而DDR2為4bit預(yù)取，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。

6.采用點(diǎn)對點(diǎn)的拓樸架構(gòu)，以減輕地址/命令與控制總線的負(fù)擔(dān)。

7.采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準(zhǔn)功能。

8.DDR3的內(nèi)存電壓由DDR2時(shí)代的1.8伏特降低到DDR3的1.5伏特，同時(shí)如果DDR3顆粒應(yīng)用到手機(jī)等設(shè)備上還可以延長電池的工作時(shí)間。理論上來說減少的電壓降低了系統(tǒng)平臺的整體功耗。

附注：

組成容量：從開始的512Mbit達(dá)到了現(xiàn)在8Gbit，最重要的容量由最初是512Mbit發(fā)展到1Gbit，之后到2Gbit和4Gbit。

模塊容量：從256MByte最高達(dá)到8GByte適用于標(biāo)準(zhǔn)JEDEC模塊。超過8GByte更高的模塊適用于特殊應(yīng)用例如服務(wù)器產(chǎn)品。