雙通道內(nèi)存技術(shù)是指雙通道內(nèi)存控制技術(shù)，可以有效地提高內(nèi)存總帶寬，適應(yīng)新的微處理器的數(shù)據(jù)傳輸、處理的需要。雙通道DDR有兩個(gè)64bit內(nèi)存控制器，雙64bit內(nèi)存體系所提供的帶寬等同于一個(gè)128bit內(nèi)存體系所提供的帶寬。

雙通道內(nèi)存控制技術(shù)的出現(xiàn)對(duì)使用inter的用戶性能有了一定的提升，也是未來發(fā)展的趨勢(shì)。組裝雙通道內(nèi)存系統(tǒng)時(shí)要注意內(nèi)存條的搭配，Intel的要求比其他主板要高，最好使用相同品牌、相同型號(hào)的內(nèi)存條，以確保穩(wěn)定性。當(dāng)然AMD CPU也有雙通道內(nèi)存技術(shù)，但是相對(duì)于其CPU內(nèi)部集成控制器，效果不如Intel CPU收效明顯。

雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)的缺點(diǎn)也不少。

首先，雙通道內(nèi)存都需要成對(duì)地使用，這樣就大大降低了內(nèi)存配置的靈活性。更重要的一點(diǎn)是在采購內(nèi)存的時(shí)候至少要選擇2×512MB、2×1024MB，這會(huì)使用戶在內(nèi)存方面的預(yù)算成倍地增加。

其次，雙通道內(nèi)存技術(shù)的理論值雖然非常誘人，但是由于各種因素，其實(shí)際應(yīng)用的性能并不能比單通道DDR內(nèi)存高1倍，當(dāng)然也無法比PC133 SDRAM高出4倍，因?yàn)楫吘乖诂F(xiàn)有的系統(tǒng)條件下，系統(tǒng)性能瓶頸不僅僅是內(nèi)存。

還有，為了實(shí)現(xiàn)雙通道內(nèi)存，所選用的內(nèi)存可能會(huì)受到限制，CPU與內(nèi)存的超頻性可能會(huì)打折扣。

雙通道內(nèi)存技術(shù)是雙通道內(nèi)存控制技術(shù)，是在當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的基礎(chǔ)上開發(fā)的一種內(nèi)存管理和控制技術(shù)。它的重點(diǎn)在于對(duì)內(nèi)存的控制而不是內(nèi)存本身，整合在芯片組北橋中的內(nèi)存控制器承擔(dān)了這個(gè)功能，因此說它是芯片組技術(shù)似乎更合適。解決計(jì)算機(jī)內(nèi)存帶寬瓶頸問題并非只有一條出路，比如還可以提高內(nèi)存工作頻率，不過，雙通道內(nèi)存技術(shù)似乎是最好的解決方案，而且還將持續(xù)一段時(shí)間。