內(nèi)存條是由一個PCB電路板上焊接上內(nèi)存顆粒構(gòu)成的，電路板只是連接電路的作用，真正內(nèi)存的大小要看內(nèi)存顆粒，一條內(nèi)存條上的單顆粒容量都相同，內(nèi)存條的容量等于顆粒容量X顆粒數(shù)。說白了，內(nèi)存顆粒就是裝在內(nèi)存基板上的內(nèi)存芯片（集成電路）。內(nèi)存條有前后兩面，只在一面上裝芯片的話就叫單面。如果用了8顆內(nèi)存芯片的話，就叫單面8片內(nèi)存顆粒！雙面16顆粒的意思就是前后兩面都有內(nèi)存芯片，一共16顆！港臺地區(qū)對內(nèi)存芯片稱呼為內(nèi)存顆粒，其實都是一個東西。下面了解下全球著名的五大DDR內(nèi)存顆粒產(chǎn)品。

一. Winbond（華邦）系列

Winbond（華邦）是臺灣著名的內(nèi)存芯片生產(chǎn)商，該公司生產(chǎn)的DDR內(nèi)存顆粒在玩家心目中的地位是其他任何廠商沒辦法取代的，該公司的BH-5內(nèi)存芯片已經(jīng)成為高檔內(nèi)存的代名詞。下面給大家?guī)砣A邦公司的幾款享有盛名的內(nèi)存顆粒。

1．BH-5

BH-5是華邦公司最出名的內(nèi)存顆粒，也可以稱得上到目前位置最出名的內(nèi)存顆粒！這些顆粒以其超強的內(nèi)存參數(shù)而著稱，并且對于電壓相當?shù)孛舾校淮蠖鄶?shù)的BH-5顆?？梢怨ぷ髟?-2-2-X的參數(shù)下，當然在3.2-3.4V高壓下，部分采用BH-5顆粒的極品內(nèi)存甚至工作在280MHZ的頻率，并且仍然維持2-2-2-x這樣的時序。當然這樣體質(zhì)的BH-5顆粒還比較少見，對于內(nèi)存的整體要求也相當高。如果你的主板不支持2.8V以上的內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)，采用BH-5顆粒的內(nèi)存或許不太適合你，但是對于那些狂熱的超頻玩家來說，OCZ的DDR booster可以幫助他們榨干BH-5的所有能量，最高3.9V的電壓可以輕松讓你的BH5達到DDR500,2-2-2-X以上, 2003年是BH-5顆粒產(chǎn)量最多的一年，但目前華邦已經(jīng)宣布停產(chǎn)BH-5顆粒，因此現(xiàn)在的市面上新售內(nèi)存中采用BH-5的比例非常少，多數(shù)出現(xiàn)在售價超貴的高端內(nèi)存中，如 Mushkin Black Level ram, Kingston Hyper X, Corsair XMS, TwinMos, Buffalo 以及極少數(shù)低端內(nèi)存產(chǎn)品中。

2.CH-5

CH-5顆粒是華邦公司繼BH-5以后推出的另外一款試用于DDR400內(nèi)存產(chǎn)品的內(nèi)存芯片，可以稱之為BH-5的縮水版，為什么這樣說呢？因為CH-5超頻后工作參數(shù)一般只能達到2-3-2-X,頻率在220-230MHZ左右，和BH-5相差甚遠；并且對于電壓的敏感程度比不上BH-5，高于3V的電壓通常也起不到太明顯的效果，這種現(xiàn)象雖然主要還是內(nèi)存顆粒的本身體質(zhì)來決定的，但是和內(nèi)存廠商的PCB板設計，用料還是不了干系的。不同批次的CH-5顆粒的差別也很大，一些少數(shù)CH-5顆粒同樣可以達到BH-5所能夠達到的成績，當然幾率非常小。

3．BH-6

BH-6作為BH-X系列的6ns版本，同樣具有非常不錯的性能，某些批次的BH-6的超頻性能甚至能夠比得上同門大哥BH-5，大多數(shù)BH-6同樣可以工作在2-2-2-2X的參數(shù)下，并且在3.2-3.4V電壓下可以穩(wěn)定工作在240-250MHz。不過由于華邦在推出BH-6顆粒不久后由于產(chǎn)能不足停止了該型號顆粒的生產(chǎn)，因此相比BH-5顆粒來說BH-6顆粒數(shù)量更為稀少。Mushkin Special 2-2-2, Corsair XMS, Kingston Hyper X, Kingston Value Ram PC2700等型號的內(nèi)存產(chǎn)品上采用了BH-6顆粒。

4.CH-6

CH-6是華邦CH-X系列的6ns版本，雖然大家對這款華邦低端DDR顆粒不是很看好，但是它仍然繼承了華邦系列一貫的優(yōu)秀品質(zhì)。CH-6在大多數(shù)情況下和CH-5很相似，不過不太容易穩(wěn)定在2-2-2-X的時序，和CH-5一樣同樣對于電壓不是很敏感，最高的工作頻率應該是220MHz，2-3-2-X的時序。CH-6面對的是性價比比較高的市場，在一些較低端的內(nèi)存產(chǎn)品上比較常見，如Kingston Value Ram,，Corsair Value Ram以及Mushkin Basic系列。

5. UTT

UTT是華邦最新推出的DDR內(nèi)存顆粒，可以說和BH-5顆粒非常相似，無論是能夠達到的極限頻率以及工作時序，和BH5不同的是UTT顆粒需要稍高的電壓才能做到這些，因此大多數(shù)超頻玩家選擇讓UTT在3.4-3.6V的電壓下工作。UTT在一點上做的要比BH-5顆粒出色，那就是UTT顆粒無論是雙面還是單面分布超頻性能幾乎相同，但BH-5更偏愛單面分布的方式，因此BH-5系列內(nèi)存的最好超頻搭配為2x256MB,但UTT無論是2x256mb或者是2x512MB的搭配都同樣出色，這一優(yōu)勢在1GB內(nèi)存成為主流容量的今天顯得特別重要，512MB的容量在對付主流的3D游戲和軟件應用已經(jīng)捉襟見肘。

華邦系列內(nèi)存顆粒的特征－顆粒正面左右對稱分布2個凹進去的小圓圈，內(nèi)存的側(cè)面可以看到兩個短距離的金屬橫片

二．Hynix（現(xiàn)代）系列顆粒

目前現(xiàn)代主流的DDR內(nèi)存顆粒有兩種，默認頻率在200MHz的D-43顆粒以及250MHz的D-5顆粒。

1.D43

D43是目前現(xiàn)代最常見的DDR內(nèi)存顆粒，這款內(nèi)存顆粒的特征是可以工作在很高的頻率下，不過是以犧牲內(nèi)存時序為代價的；通過手動超頻，D43顆粒普遍可以工作在260-270MHz，3-4-4-8的時序。D43通常也被戲稱為“Intel內(nèi)存”，因為Intel系列芯片組對于內(nèi)存的工作頻率依賴性比較大，而對于內(nèi)存時序的依賴則小于AMD平臺，D43顆粒對于使用Athlon XP平臺的玩家來說并不是理想選擇。和華邦顆粒相反，D43對于電壓的要求不是很高，一般在多數(shù)主板所支持的2.8V電壓下就可以達到理想的頻率，因此深受那些不精通改造主板或者另外添置DDR Booster的用戶們來選購。目前D43顆粒分為三種，通過顆粒編號的最后5位即可辨別，早期的編號尾部為BT-D43，后期的又出現(xiàn)了CT-D43以及DT-D43，最后推出的DT-D43顆粒相比它的兩位師兄可以工作在更高的頻率下。由于D43的優(yōu)秀的超頻性能，使得原本為DDR400內(nèi)存設計的它出現(xiàn)在很多廠商的PC4000（DDR500）內(nèi)存中，如Kingston Hyper X, Corsair XMS, Patriot等。

2．D5

D5作為現(xiàn)代DDR系列內(nèi)存顆粒的高端型號，和同門師弟D43的體質(zhì)很相似，不過D5顆粒工作在更高的頻率和時序下。D5默認工作頻率就是250MHz，是為DDR500內(nèi)存設計的，因此極限頻率比D43更高，默認即可達到250MHz 2.5-4-7,D43工作在250MHz時的時序為3-4-4-8；此外D5顆?？梢云毡檫_到270-280MHz,少數(shù)可以超越300MHz，比D43更優(yōu)秀。D43被稱之為“Intel內(nèi)存”，而D5顆粒則為更高端的Athlon64，Intel平臺的超頻玩家們提供了一個不錯的選擇，此外還可以很好地搭配Athlon XP平臺，2-3-3-X時序下頻率可以達到210-220MHz（當然了由于Athlon XP外頻極限較低，因此工作時序更好的華邦系列內(nèi)存是其最佳選擇）。

三.鎂光系列顆粒

鎂光系列DDR內(nèi)存顆粒以出色的超頻性能以及兼容性好而著稱，好多超頻玩家稱之為“中庸內(nèi)存”，在中端領域鎂光的顆粒無人能敵。目前常見的DDR顆粒包括-5B C/-5B G系列。

1． -5B C

說實話鎂光的5B系列顆粒本來應該十分熱賣才對，這款-5B C顆粒不僅能夠達到很高的頻率并且同時擁有很棒的時序，通?？梢苑€(wěn)定工作在230MHz，2.5-2-2-X，雖然CAS延遲不能達到2.0或者更低，但是TRD和TRP卻很低，均可穩(wěn)定在時序2，當然工作頻率還可以上的更高。-5B C對于電壓同樣很敏感，在3.0V電壓下基本上可以達到最高頻率250MHz以上。鎂光的顆粒的效能非常好，CAS2.5可以和BH-5系列CAS2相聘美，此外該款內(nèi)存的異步性能非常好，對于高端的Athlon64，Intel平臺處理器FSB的提升尤其有幫助。目前多家廠商推出的PC3200內(nèi)存均采用了鎂光的這款芯片，其中最引人注目的就是日本的Buffalo品牌，此外還包括Crucial, OCZ 和其他品牌。

2. -5B G

-5B G顆粒是鎂光針對前者-5B C的改進版，雖然同樣為5ns芯片，但是所能達到的最高頻率要高于前者，著名的Crucial Ballistix系列內(nèi)存就采用了這款型號的內(nèi)存顆粒，不僅工作頻率高，內(nèi)存時序也相當出色。-5B G顆粒可以在保持較高頻率的同時擁有出色的時序，大多數(shù)-5B G可以工作在250-260MHz，2.5-2-2-X的時序，比大多數(shù)現(xiàn)代的D43/D5顆粒都要出色，目前1GB容量Crucial Ballistix的售價在250美元左右，此外你還可以在鎂光原廠DDR400上發(fā)現(xiàn)這款顆粒的身影。

四．Infineon（英飛凌）系列顆粒

Infineon（英飛凌）科技作為內(nèi)存界的元老，其在SD時代的超頻性能無人能敵，并且具備完美的兼容性能。目前英飛凌常見的幾款DDR內(nèi)存顆粒在超頻上都有不錯的表現(xiàn)。

1 .B5

這是英飛凌的5ns內(nèi)存顆粒，不過并不多見，因為僅有Corsair XMS3200 rev. 3.1這款內(nèi)存使用了B5顆粒，默認設置為200MHz，2-3-3-6時序，相當不錯，總體特征和華邦的CH-6顆粒很類似。B5顆粒對電壓同樣敏感，不過沒有華邦的顆粒那么明顯，即使加壓后超頻幅度也很一般，在2.9-3.0V的電壓下只能工作在220-230MHz，嘗試超過這個電壓更是在浪費時間。

2. BT-6

這款是英飛凌的6ns顆粒，主要使用在PC2700內(nèi)存產(chǎn)品上，和B5很類似，僅是在超頻幅度上略遜于后者。Kingston的KVR2700就是采用了BT-6顆粒，可以穩(wěn)定工作在215MHz,2.5-3-3-11的時序；目前6ns的BT-6算是比較落伍了，不過可以輕松達到200MHz，CAS2.5的水準，如果想要達到更高的頻率和參數(shù)，就要在電壓上下功夫了。

3. BT-5

目前最常見的英飛凌DDR400芯片就是BT-5，默認工作頻率為200MHz,3.0-3-3-8,DDR400通常優(yōu)化時序為2.5-3-2-X,顯得一般，不過BT-5擅長的是頻率制勝，并且對于電壓敏感程度很高，在2.8V以上電壓，BT-5顆粒大多可以工作在240MHz以上，少數(shù)可以達到275MHz，3-4-4-X的工作狀態(tài)。目前在很多品牌包括英飛凌原廠的PC3200內(nèi)存都采用了這款BT-5顆粒，是一款性價比不錯的產(chǎn)品。

4. CE-5/BE-5

在BT-5 200MHz下的時序遭人詬病以后，英飛凌的另外一款5ns DDR顆粒進入了市場，CE-5顆?？梢苑€(wěn)定工作在200MHz 2-3-2-X時序，此外部分產(chǎn)品還可以上到260MHz以上的頻率，不過目前采用CE-5顆粒的內(nèi)存品質(zhì)參差不齊，一部分產(chǎn)品甚至不能穩(wěn)定在225MHz以上。此外最新推出的BE-5顆粒，可以單面實現(xiàn)512MB容量，在參數(shù)和極限速度上相比CE-5又有進步。

五．三星（Samsung）系列顆粒

三星是目前世界上最大的半導體公司，也是排名前三名的內(nèi)存廠商，其生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒為各內(nèi)存廠商廣泛采用，編號為TC系列的DDR內(nèi)存顆粒更是得到了超頻玩家們的熱愛，當然其中最著名的就是TCCD顆粒。

1. TCB3

TCB3是三星推出的6ns DDR顆粒，可以穩(wěn)定地工作在PC2700, 2-2-2-X的時序，參數(shù)非常優(yōu)秀，此外它同樣可以工作在PC3200,但是不能繼續(xù)維持這么高的時序，200MHz時的時序為2-3-3-6，不過也已經(jīng)很不錯了。TCB3的頻率極限在230MHz左右，對于對于默認為166MHz的內(nèi)存來說超頻幅度很大，TCB3對于電壓并不太敏感，3.0V電壓下頻率提升也不是很大；實際上，OCZ的幾款PC3700內(nèi)存就是采用了TCB3顆粒，顯得有些不可思議。TCB3搭配那些FSB不超過180MHz的處理器效果很不錯，許多著名品牌的高端PC2700內(nèi)存都采用了這款顆粒，包括Corsair XMS2700, XMS3200, Kingston Hyper X PC2700, Mushkin PC3200以及TwinMos，OCZ的部分型號。

2.TCCC

TCCC是三星TCC系列（PC3200）里面編號為“C”的顆粒，表示其PC3200時預設CAS值為3，這款內(nèi)存顆粒在很多廠商的PC3200內(nèi)存產(chǎn)品中都可以看到。TCCC人稱“多面手”，是因為它可以工作在250-260MHz,3-4-4-8的時序，而默認200MHz時可以保持2.5-3-3-6的時序，由于TCCC顆粒的售價比較便宜，因此和現(xiàn)代的D43一起成為性價比出色的代表。此外不少PC4000（DDR500）內(nèi)存同樣采用了TCCC顆粒，如KingSton Hyper X PC4000 module I，不過由于已經(jīng)接近極限頻率，留給這款內(nèi)存的超頻空間已經(jīng)很小了。當然電壓對于TCCC顆粒的超頻有一定的影響，不過在2.8V時已經(jīng)基本上可以達到最高頻率。Corsair XMS3700, Samsung PC3200以及其他品牌的PC3200產(chǎn)品上都可以看到TCCC的身影。

3. TCC4

TCC4是三星的另外一款5ns的DDR400內(nèi)存顆粒，不過并不常見，在一些品牌的PC3200低端內(nèi)存甚至是PC2700內(nèi)存上面可以看到它。TCC4并不太適合超頻用戶，因為在加壓情況下最高也只能穩(wěn)定在210-220MHz,3-3-3-X的時序模式下，對電壓很不敏感，只適合追求容量和性價比的用戶。

4. TCC5

TCC5是三星TCC系列的一款新產(chǎn)品，在各方面比它的前輩TCC4都要優(yōu)秀的多，一般多用在PC3700內(nèi)存產(chǎn)品上，超頻性能很不錯。這款內(nèi)存的默認工作頻率為233MHz，初始頻率比TCC4的極限都要高，默認工作時序可以達到2.5-3-3-X，在超頻模式下，可以工作在250MHz，3-4-4-X的時序下，對于電壓也不太敏感。這款顆粒相比TCCC和現(xiàn)代的D43來說并不常見，售價相對較高，對于AMD,Intel的平臺都比較適應，200MHz下可以提供不錯的時序，而超頻狀態(tài)下可以提供不錯的頻率，是一個不錯的選擇。

5. TCCD

繼華邦的BH-5之后，三星的TCCD是第二款應該被大家記住并懷念的顆粒；TCCD被稱之為“BH-5的代替者”，某些人贊同這一說法，當然也有人反對。TCCD可以稱得上最全面的內(nèi)存芯片，要高參有高參，要高頻有高頻，TCCD可以在2-2-2-X的時序下穩(wěn)定工作在220MHz,也可以在2.5-4-4-X的時序下以超過300MHz的頻率穩(wěn)定運行，是目前工作頻率最高的DDR內(nèi)存芯片。