Access Time

Access Time（存取時(shí)間），RAM 完成一次數(shù)據(jù)存取所用的平均時(shí)間（以納秒為單位）。存取時(shí)間等于地址設(shè)置時(shí)間加延遲時(shí)間（初始化數(shù)據(jù)請(qǐng)求的時(shí)間和訪問準(zhǔn)備時(shí)間）。

Address

Address（地址），就是內(nèi)存每個(gè)字節(jié)的編號(hào)。目的是按照該編號(hào)準(zhǔn)確地到該編號(hào)的內(nèi)存去存取數(shù)據(jù)

Async SRAM

Async SRAM（異步靜態(tài)內(nèi)存），一種較為陳舊的SRAM，通常用來做電腦上的Level 2 Cache。

Bandwidth

Bandwidth （帶寬） 1、傳輸數(shù)據(jù)信息的能力。信息交換的形式多種多樣，可以通過但根電線，也可以通過總線或信道的并行線。一言以蔽之，就是單位時(shí)間內(nèi)數(shù)據(jù)的移動(dòng)量，通常用位 / 秒、字節(jié)/秒或赫茲（周/秒）表示。 2、內(nèi)存的數(shù)據(jù)帶寬：一般指內(nèi)存一次能處理的數(shù)據(jù)寬度，也就是一次能處理若干位的數(shù)據(jù)。30線內(nèi)存條的數(shù)據(jù)帶寬是8位，72線為32位，168線可達(dá)到 64位

Bank

Bank （內(nèi)存庫(kù)） 在內(nèi)存行業(yè)里，Bank至少有三種意思，所以一定要注意。 1、在SDRAM內(nèi)存模組上，"bank 數(shù)"表示該內(nèi)存的物理存儲(chǔ)體的數(shù)量。（等同于"行"/Row） 2、Bank還表示一個(gè)SDRAM設(shè)備內(nèi)部的邏輯存儲(chǔ)庫(kù)的數(shù)量。（現(xiàn)在通常是4個(gè)bank）。 3、它還表示DIMM 或 SIMM連接插槽或插槽組，例如bank 1 或 bank A。這里的BANK是內(nèi)存插槽的計(jì)算單位（也叫內(nèi)存庫(kù)），它是電腦系統(tǒng)與內(nèi)存之間數(shù)據(jù)總線的基本工作單位。只有插滿一個(gè)BANK，電腦才可以正常開機(jī)。舉個(gè)例子，奔騰系列的主板上，1個(gè)168線槽為一個(gè)BANK，而2個(gè)72線槽才能構(gòu)成一個(gè)BANK，所以72線內(nèi)存必須成對(duì)上。原因是，168線內(nèi)存的數(shù)據(jù)寬度是64位，而72線內(nèi)存是32位的。主板上的BANK編號(hào)從BANK0開始，必須插滿BANK0才能開機(jī)，BANK1以后的插槽留給日后升級(jí)擴(kuò)充內(nèi)存用，稱做內(nèi)存擴(kuò)充槽。

Bank Schema

Bank Schema（存儲(chǔ)體規(guī)劃），一種圖解內(nèi)存配置的方法。存儲(chǔ)體規(guī)劃由若干用來表示電腦主板上的內(nèi)存插槽的行或列組成。行表示獨(dú)立的插槽；列代表bank數(shù)。

BEDO

BEDO (Burst EDO RAM) －突發(fā)模式EDO隨機(jī)存儲(chǔ)器，BEDO內(nèi)存能在一個(gè)脈沖下處理四個(gè)內(nèi)存地址。形象地說，它一次可以傳輸一批數(shù)據(jù)?？偩€的速度范圍從50MHz 到 66MHz (與此相比，EDO內(nèi)存速度是33MHz，F(xiàn)PM內(nèi)存的速度是25MHz)。

BGA封裝技術(shù)

BGA (Ball Grid Array)－球狀引腳柵格陣列封裝技術(shù)，高密度表面裝配封裝技術(shù)。在封裝的底部，引腳都成球狀并排列成一個(gè)類似于格子的圖案，由此命名為BGA。目前的主板控制芯片組多采用此類封裝技術(shù)，材料多為陶瓷。

BLP

BLP－底部引出塑封技術(shù)，新一代內(nèi)存芯片封裝技術(shù)，其芯片面積與封裝面積之比大于1：1.1，符合CSP封裝規(guī)范。此類內(nèi)存芯片不但高度和面積小，而且電氣特性也得到了提高。

Buffer

Buffer－緩沖區(qū)，一個(gè)用于存儲(chǔ)速度不同步的設(shè)備或優(yōu)先級(jí)不同的設(shè)備之間傳輸數(shù)據(jù)的區(qū)域。通過緩沖區(qū)，可以使進(jìn)程之間的相互等待變少，從而使從速度慢的設(shè)備讀入數(shù)據(jù)時(shí)，速度快的設(shè)備的操作進(jìn)程不發(fā)生間斷。

Buffered Memory

Buffered Memory，帶有緩存的內(nèi)存條。緩存能夠二次推動(dòng)信號(hào)穿過內(nèi)存芯片，而且使內(nèi)存條上能夠放置更多的內(nèi)存芯片。帶緩存的內(nèi)存條和不帶緩存的內(nèi)存條不能混用。電腦的內(nèi)存控制器結(jié)構(gòu)，決定了該電腦上帶緩存的內(nèi)存還是上不帶緩存的內(nèi)存。

CAS

CAS (Column Address Strobe)－列地址選通脈沖，在內(nèi)存的尋址中，鎖定數(shù)據(jù)地址需要提供行地址和列地址，行地址的選通由RAS控制，列地址的選通由CAS決定。

CAS Latency

列地址選通脈沖時(shí)間延遲，CL反應(yīng)時(shí)間是衡定內(nèi)存的另一個(gè)標(biāo)志。CL是CAS Latency的縮寫，指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間，簡(jiǎn)單的說，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應(yīng)所需的時(shí)間越短。在早期的PC133內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中，這個(gè)數(shù)值規(guī)定為3，而在Intel重新制訂的新規(guī)范中，強(qiáng)制要求CL的反應(yīng)時(shí)間必須為2，這樣在一定程度上，對(duì)于內(nèi)存廠商的芯片及PCB的組裝工藝要求相對(duì)較高，同時(shí)也保證了更優(yōu)秀的品質(zhì)。因此在選購(gòu)品牌內(nèi)存時(shí)，這是一個(gè)不可不察的因素。

CF卡

一種袖珍閃存卡，（compact flash card）。像pc卡那樣插入數(shù)碼相機(jī)，它可用適配器，（又稱轉(zhuǎn)接卡），使之適應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)的pc卡閱讀器或其他的pc卡設(shè)備。

cf存儲(chǔ)卡的部分結(jié)構(gòu)采用強(qiáng)化玻璃及金屬外殼，cf存儲(chǔ)卡采用standard ata/ide接口界面，配備有專門的pcm-cia適配器（轉(zhuǎn)接卡），筆記本電腦的用戶可直接在pcmcia插槽上使用，使數(shù)據(jù)很容易在數(shù)碼相機(jī)與電腦之間傳遞。

Checksum

Checksum－檢驗(yàn)和，校驗(yàn)和。在數(shù)據(jù)處理和數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域中，用于校驗(yàn)?zāi)康牡囊唤M數(shù)據(jù)項(xiàng)的和。這些數(shù)據(jù)項(xiàng)可以是數(shù)字或在計(jì)算檢驗(yàn)和過程中看作數(shù)字的其它字符串。

Compact Flash

Compact Flash（緊湊式閃存），一種結(jié)構(gòu)輕小的存儲(chǔ)器，用于可拆卸的存儲(chǔ)卡。CompactFlash 卡持久耐用，工作電壓低，掉電后數(shù)據(jù)不丟失。應(yīng)用范圍包括：數(shù)碼相機(jī)、移動(dòng)電話、打印機(jī)、掌上電腦、尋呼機(jī)，以及錄音設(shè)備。

C-RIMM

Continuity RIMM (C-RIMM)－連續(xù)性總線式內(nèi)存模組，一種不帶內(nèi)存芯片的直接總線式內(nèi)存模組（Direct Rambus）。C-RIMM 為信號(hào)提供了一個(gè)連續(xù)的通道。在直接總線式內(nèi)存系統(tǒng)中，開放的連接器必須安裝C-RIMM。

CSP

Chip-Scale Package（芯片級(jí)封裝），薄芯片封裝，其電路連接通常是采用BGA（球狀引腳格狀陣列）。這種封裝形式一般用于RDRAM（總線式動(dòng)態(tài)內(nèi)存）和 flash memory（閃存）。

CSRAM

同Pentium II Xeron匹配的一種高速緩存，容量為512KB。

DDP電路

DDP(Double Detect and Protect:二重探測(cè)與保護(hù))，它可以使Space對(duì)輸入的信號(hào)不再重復(fù)處理，同時(shí)對(duì)聲音的頻率和方向進(jìn)行探測(cè)，而且自動(dòng)調(diào)整，得到最佳的效果。

DDR

DDR（Dual Data Rate SDRSM）是最新的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)之一，在系統(tǒng)時(shí)鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，因此即使在133MHz的總線頻率下，帶寬也能達(dá)到約2.1GB/S，為SDRAM的的兩倍左右。

DDR SDRAM

DDR 是雙倍數(shù)據(jù)速率（Double Data Rate）。從名稱上可以看出，這種內(nèi)存在技術(shù)上，與SDRAM有著密不可分的關(guān)系，事實(shí)上，DDR內(nèi)存就是SDRAM內(nèi)存的加強(qiáng)版。它主要是利用時(shí)鐘脈沖的上升沿與下降沿傳輸數(shù)據(jù)，相當(dāng)于原來兩倍的頻率的工作效率。 DDR只是對(duì)SDRAM技術(shù)做了一些加強(qiáng)，所以生產(chǎn)SDRAM的生產(chǎn)線極容易改建于DDR的生產(chǎn)。不過DDR內(nèi)存為保持較高的數(shù)據(jù)傳輸率，電氣信號(hào)必須要求能較快改變，因此采用了2.5伏的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)，其管腳數(shù)為184線，與SDRAM在主板上無法實(shí)現(xiàn)兼容。 DDR SDRAM有著先天性的優(yōu)勢(shì)，因此，取代SDRAM只是時(shí)間上的問題，相信隨著DDR內(nèi)存體系的愈加成熟，與SDRAM體系結(jié)構(gòu)間的性能會(huì)越拉越大，那時(shí)也正是DDR全面鋪進(jìn)千家萬戶的時(shí)刻。

DDR內(nèi)存

DDR （Dual date rate） SDRAM 稱為"雙倍速率SDRAM"，在133MHz的前端總線頻率下，帶寬可達(dá)2.128GB/S。它的工作原理是其能在控制時(shí)鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸（而SDRAM只在控制時(shí)鐘的下降沿進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸），因此在一次控制信號(hào)過程中，DDR SDRAM能進(jìn)行兩次的數(shù)據(jù)交換，這也就是它為什么又如此高的帶寬。

DIMM

Dual -Inline-Menory-Modules，即雙列直插式存儲(chǔ)模塊。這是在奔騰CPU推出后出現(xiàn)的新型內(nèi)存條，DIMM提供了64位的數(shù)據(jù)通道，因此它在奔騰主板上可以單條使用。它有168條引腳，故稱為168線內(nèi)存條。它要比SIMM插槽要長(zhǎng)一些，并且它也支持新型的168線EDO-DRAM存儲(chǔ)器。就目前而言，適用DIMM的內(nèi)存芯片的工作電壓一般為3.3V（使用EDORAM內(nèi)存芯片的168線內(nèi)存條除外），適用于SIMM的內(nèi)存芯片的工作電壓一般為5V（使用EDORAM或FBRAM內(nèi)存芯片），二者不能混合使用。

DIMM

DIMM （Dual In-line Memory Modules），雙邊接觸內(nèi)存模組。也就是說這種類型接口內(nèi)存的插板兩邊都有數(shù)據(jù)接口觸片，這種接口模式的內(nèi)存廣泛應(yīng)用于現(xiàn)在的計(jì)算機(jī)中，通常為84 針，由于是雙邊的，所以共有84×2=168線接觸，所以人們常把這種內(nèi)存稱為168線內(nèi)存。

DIP

DIP （Dual In-line Package）-雙列直插式封裝，雙入線封裝，DRAM的一種元件封裝形式。DIP封裝的芯片可以插在插座里，也可以永久地焊接在印刷電路板的小孔上。在內(nèi)存顆粒直接插在主板上的時(shí)代，DIP 封裝形式曾經(jīng)十分流行。 DIP還有一種派生方式SDIP（Shrink DIP，緊縮雙入線封裝），它比DIP的針腳密度要高6六倍。

Direct Rambus

Direct Rambus－直接總線式隨機(jī)存儲(chǔ)器，Rambus 技術(shù)的第三代產(chǎn)品，它為高性能的PC機(jī)提供了一種全新的DRAM 結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)在的SDRAM在64-bit的寬帶總線上速度只有100MHz；與此相對(duì)照，Direct Rambus在16-bit的窄通道上，其數(shù)據(jù)傳輸速度可高達(dá)800MHz。

Direct RDRAM

Direct RDRAM（直接總線式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），該設(shè)備的控制線和數(shù)據(jù)線分開，帶有16位接口、帶寬高達(dá)800 MHz，效率大于90% 。一條Direct RDRAM 使用兩個(gè)8-bit 通道、工作電壓2.5V ，數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)到1.6 GBps 。它采用一個(gè)分離的8位總線（用于地址和控制信號(hào)），并拓寬了8到16位或9到18位數(shù)據(jù)通道，時(shí)鐘達(dá)到400 MHz ，從而在每個(gè)針（pin）800Mbps的情況下（共計(jì)1.6 GBS）使可用數(shù)據(jù)帶寬最大化。

DMA

它的意思是直接存儲(chǔ)器存取，是一種快速傳送數(shù)據(jù)的機(jī)制，DMA技術(shù)的重要性在于，利用它進(jìn)行數(shù)據(jù)存取時(shí)不需要CPU進(jìn)行干預(yù)，可提高系統(tǒng)執(zhí)行應(yīng)用程序的效率。利用DMA傳送數(shù)據(jù)的另一個(gè)好處是，數(shù)據(jù)直接在源地址和目的地址之間傳送，不需要是中間媒介。

DRAM

DRAM （Dynamic RAM），動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。需要用恒電流以保存信息，一斷電，信息即丟失。其接口多為72線的SIMM類型。雖然它的刷新頻率每秒鐘可達(dá)幾百次，但是由于它采用同一電路來存取數(shù)據(jù)，所以存取時(shí)間有一定的間隔，導(dǎo)致了它的存取速度不是很快。在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。

ECC內(nèi)存

全稱Error Checkingand Correcting。它也是在原來的數(shù)據(jù)位上外加位來實(shí)現(xiàn)的。如8位數(shù)據(jù)，則需1位用于Parity檢驗(yàn)，5位用于ECC，這額外的5位是用來重建錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)的。當(dāng)數(shù)據(jù)的位數(shù)增加一倍，Parity也增加一倍，而ECC只需增加一位，當(dāng)數(shù)據(jù)為64位時(shí)所用的ECC和Parity位數(shù)相同(都為8)。在那些Parity只能檢測(cè)到錯(cuò)誤的地方，ECC可以糾正絕大多數(shù)錯(cuò)誤。若工作正常時(shí)，你不會(huì)發(fā)覺你的數(shù)據(jù)出過錯(cuò)，只有經(jīng)過內(nèi)存的糾錯(cuò)后，計(jì)算機(jī)的操作指令才可以繼續(xù)執(zhí)行。當(dāng)然在糾錯(cuò)時(shí)系統(tǒng)的性能有著明顯降低，不過這種糾錯(cuò)對(duì)服務(wù)器等應(yīng)用而言是十分重要的，ECC內(nèi)存的價(jià)格比普通內(nèi)存要昂貴許多。

EDO DRAM

EDO DRAM（Extended Data Output RAM），擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存。是Micron公司的專利技術(shù)。有72線和168線之分、5V電壓、帶寬32bit、基本速度40ns以上。傳統(tǒng)的DRAM 和FPM DRAM在存取每一bit數(shù)據(jù)時(shí)必須輸出行地址和列地址并使其穩(wěn)定一段時(shí)間后，然后才能讀寫有效的數(shù)據(jù)，而下一個(gè)bit的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。EDO DRAM不必等待資料的讀寫操作是否完成，只要規(guī)定的有效時(shí)間一到就可以準(zhǔn)備輸出下一個(gè)地址，由此縮短了存取時(shí)間，效率比FPM DRAM高20%—30%。具有較高的性/價(jià)比，因?yàn)樗拇嫒∷俣缺菷PM DRAM快15%，而價(jià)格才高出5%。

EDORAM

擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存。EDORAM是通過取消兩個(gè)存儲(chǔ)周期之間的時(shí)間間隔，來提高存取速率的。通常，在一個(gè)DRAM陣列中讀取一個(gè)單元時(shí)，首先充電選擇一行然后再充電選擇一列，這些充電線路在穩(wěn)定之前會(huì)有一定的延時(shí)，制約了RAM的讀寫速度。EDO技術(shù)假定下一個(gè)要讀寫的地址和當(dāng)前的地址是連續(xù)的（一般是這樣），在當(dāng)前的讀寫周期中啟動(dòng)下一個(gè)讀寫周期，從而可將RAM速度提高約30%。但是，EDORAM僅適用于總線速度小于或等于66MHz的情況，是97 年最為流行的內(nèi)存。

EEPROM

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器--一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用（Plug

ESDRAM

ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM)－增強(qiáng)型同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存，Enhanced Memory Systems, Inc 公司開發(fā)的一種SDRAM，帶有一個(gè)小型的靜態(tài)存儲(chǔ)器。在嵌入式系統(tǒng)中， ESDRAM代替了SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），其速度與SRAM相當(dāng)，但成本和耗電量卻比后者低得多。

FLASH內(nèi)存

FLASH是一種可擦寫、可編程的ROM，F(xiàn)LASH包含IOS及微代碼?？梢园阉胂蠛蚉C機(jī)的硬盤功能一樣，但其速度快得多?？梢酝ㄟ^寫入新版本和OS對(duì)路由器進(jìn)行軟件升級(jí)。FLASH中的程序，在系統(tǒng)掉電時(shí)不會(huì)丟失。

FPM DRAM

FPM DRAM（Fast Page Mode RAM）:　快速頁(yè)面模式內(nèi)存。是一種在486時(shí)期被普遍應(yīng)用的內(nèi)存。72線、5V電壓、帶寬32bit、基本速度60ns以上。它的讀取周期是從 DRAM陣列中某一行的觸發(fā)開始，然后移至內(nèi)存地址所指位置，即包含所需要的數(shù)據(jù)。第一條信息必須被證實(shí)有效后存至系統(tǒng)，才能為下一個(gè)周期作好準(zhǔn)備。這樣就引入了“等待狀態(tài)”，因?yàn)镃PU必須傻傻的等待內(nèi)存完成一個(gè)周期。隨著性能/價(jià)格比更高的EDO DRAM的出現(xiàn)和應(yīng)用，它只好退出市場(chǎng)。

Interleaving

Interleaving（交叉存取技術(shù)），加快內(nèi)存速度的一種技術(shù)。舉例來說，將存儲(chǔ)體的奇數(shù)地址和偶數(shù)地址部分分開，這樣當(dāng)前字節(jié)被刷新時(shí)，可以不影響下一個(gè)字節(jié)的訪問。

JEDEC

JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council），電子元件工業(yè)聯(lián)合會(huì)。JEDEC是由生產(chǎn)廠商們制定的國(guó)際性協(xié)議，主要為計(jì)算機(jī)內(nèi)存制定。工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存通常指的是符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的一組內(nèi)存。

MCH

Memory Controller Hub (MCH)－內(nèi)存控制中心，Intel 8xx（例如820或840）芯片組中用于控制AGP、CPU、內(nèi)存（RDRAM）等組件工作的芯片。

MDRAM

MDRAM （Multibank Dynamic RAM）－多BANK動(dòng)態(tài)內(nèi)存，MDRAM是MoSys公司開發(fā)的一種VRAM（視頻內(nèi)存），它把內(nèi)存劃分為32KB的一個(gè)個(gè)BANK（存儲(chǔ)庫(kù)），這些 BANK可以單獨(dú)訪問，每個(gè)儲(chǔ)存庫(kù)之間以高于外部的數(shù)據(jù)速度相互連接。其最大特色是具有"高性能、低價(jià)位"特性，最大傳輸率高達(dá)666MB/S，一般用于高速顯卡。

Micro BGA

Micro BGA (μBGA)－縮微型球狀引腳柵格陣列封裝，Tessera, Inc.公司開發(fā)的的一種BGA 芯片封裝技術(shù)，主要用于高頻工作的RDRAM。這種技術(shù)能把芯片尺寸做得更小，提高了散熱性，使內(nèi)存條的數(shù)據(jù)密度增大了。

Non-Composite

蘋果電腦的內(nèi)存術(shù)語(yǔ)，表示一種采用了新技術(shù)的內(nèi)存條。該內(nèi)存條上的芯片顆粒很少，但數(shù)據(jù)密度卻非常高。Non-composite 內(nèi)存條比 composite 內(nèi)存條工作更可靠，但價(jià)格也相對(duì)高。

PC100

JEDEC 和Intel制定的一種SDRAM內(nèi)存顆粒（或內(nèi)存條）技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。其中100是指該內(nèi)存能工作在前端總線（FSB）100MHz的系統(tǒng)中。當(dāng)初，PC100規(guī)范是為配合INTEL推出BX芯片組制定的準(zhǔn)則，其規(guī)范條款很多，但主要有以下幾點(diǎn)： 1、TCK（CLOCK、CYCLE、TIME）內(nèi)存時(shí)鐘周期，在100MHZ外頻工作時(shí)值為10ns; 2、TAC（ACCESS TIME FRONCLK）存取時(shí)間小于6ns； 3、PCB必須為六層板，可以濾掉雜波； 4、內(nèi)存上必須有SPD，SPD一般由內(nèi)存模組制造商寫入，設(shè)定內(nèi)存工作參數(shù)。

PC133

IBM 和Reliance電子公司制定的一種內(nèi)存芯片（或內(nèi)存條）技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，其中的133指的是該內(nèi)存工作頻率可達(dá)133MHz。嚴(yán)格地說，PC133和 PC100內(nèi)存在制造工藝上沒有什么太大的不同，區(qū)別只是在制造PC133內(nèi)存時(shí)多了一道"篩選"工序，把內(nèi)存顆粒中外頻超過133 MHz的挑選出來，焊接成高檔一些的內(nèi)存。

Pin

Pin－針狀引腳，內(nèi)存金手指上的金屬接觸點(diǎn)。

PLB

PLB （Pipeline Burst Cache）－脈沖突發(fā)式緩存，PLB能使第一個(gè)脈沖到達(dá)處理器之前，四個(gè)數(shù)據(jù)一個(gè)接一個(gè)的連續(xù)傳輸中有順序地讀寫。PLB常用于SRAM，制造計(jì)算機(jī)的一級(jí)和二級(jí)緩存。它分為同步與異步兩種工作方式。

PROM

PROM （Programmable Read-Only Memory）－可編程只讀存儲(chǔ)器，也叫One-Time Programmable (OTP)ROM，是一種可以用程序操作的只讀內(nèi)存。最主要特征是只允許數(shù)據(jù)寫入一次，如果數(shù)據(jù)燒入錯(cuò)誤只能報(bào)廢。

RAM

RAM (Random-Access Memory)－隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，一種存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，用于保存CPU處理的數(shù)據(jù)信息。"隨機(jī)"（Random）存取是與"順序（serial）"存取相對(duì)而言的，意思是CPU可以從RAM中任意地址中直接讀取所需的數(shù)據(jù)，而不必從頭至尾一一查找。

Rambus DRAM

Rambus DRAM原本是Intel強(qiáng)力推廣的未來內(nèi)存發(fā)展方向，其技術(shù)引入了RISC（精簡(jiǎn)指令集），依靠高時(shí)鐘頻率（目前有300MHz、350MHz和 400MHz三種規(guī)格）來簡(jiǎn)化每個(gè)時(shí)鐘周期的數(shù)據(jù)量。因此其數(shù)據(jù)通道接口只有16bit（由兩條8bit的數(shù)據(jù)通道組成），遠(yuǎn)低于SDRAM的 64bit，由于Rambus DRAM也是采用類似于DDR的雙速率傳輸結(jié)構(gòu)，同時(shí)利用時(shí)鐘脈沖的上升與下降沿進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，因此在300MHz下的數(shù)據(jù)傳輸量可以達(dá)到300MHz× 16bit×2/8=1.2GB/s，400MHz時(shí)可達(dá)到1.6GB/s，目前主流的雙通道PC800MHz RDRAM的數(shù)據(jù)傳輸量更是達(dá)到了3.2GB/s。相對(duì)于133MHz下的SDRAM的1.05GB/s，確實(shí)很有吸引力。 Rambus DRAM的認(rèn)證機(jī)制也較為嚴(yán)格，其認(rèn)證測(cè)試包括DirectRDRAM元件、RIMM模塊、RIMM連接器和DirectRDRAM時(shí)鐘發(fā)生器。以確保與 Intel的系統(tǒng)保持百分百的兼容。

RAS

RAS （Row Address Strobe）－行地址選通脈沖，在DRAM數(shù)據(jù)位中，用列地址和行地址的交叉點(diǎn)定位每個(gè)單元的存儲(chǔ)地址。行地址的選通由RAS控制。

Registered Memory

Registered Memory－帶寄存器的內(nèi)存，帶有寄存器（register）SDRAM內(nèi)存條。寄存器可以的作用是：再次推動(dòng)數(shù)據(jù)信號(hào)通過內(nèi)存芯片，使內(nèi)存條上能夠焊接更多的芯片。帶寄存器（Registered）的內(nèi)存和不帶緩存（unbuffered）的內(nèi)存不能混用。能否使用帶寄存器的內(nèi)存是由電腦的內(nèi)存控制器決定的。

ROM

ROM （Read Only Memory）－只讀存儲(chǔ)器，掉電后數(shù)據(jù)不丟失的一種存儲(chǔ)器，主要用來存放"固件"（Firmware）。主板、顯卡、網(wǎng)卡上的BIOS就是一種ROM，因?yàn)樗麄兂绦蚝蛿?shù)據(jù)的變動(dòng)概率都很低。

SDRAM

Synchronous DRAM同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存。它與系統(tǒng)總線同步工作，避免了在系統(tǒng)總線對(duì)異步DRAM進(jìn)行操作時(shí)同步所需的額外等待時(shí)間，可加快數(shù)據(jù)的傳輸速度。這是98年流行的一種同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存。它提高讀寫速率的的基本原理是將CPU和RAM通過一個(gè)相同的時(shí)鐘鎖在一起，使得RAM和CPU能夠共享一個(gè)鐘周期，以相同的速度同步工作，從而解決了CPU和RAM之間的速度不匹配問題。

SDRAM

自從Pentium時(shí)代以來，SDRAM就開始了其不可動(dòng)搖的霸主地位。這種主體結(jié)構(gòu)一直延續(xù)至今。成為市場(chǎng)上無可爭(zhēng)議的內(nèi)存名稱的代名詞。臺(tái)式機(jī)使用的SDRAM一般為168線的管腳接口，具有64bit的帶寬，工作電壓為3.3伏，目前最快的內(nèi)存模塊為5.5納秒。由于其最初的標(biāo)準(zhǔn)是采用將內(nèi)存與CPU進(jìn)行同步頻率刷新的工作方式，因此，基本上消除了等待時(shí)間，提高了系統(tǒng)整體性能。大家都知道CPU的核心頻率＝系統(tǒng)外部頻率×倍頻的方式。而內(nèi)存就是工作在系統(tǒng)的外部頻率下，最初的66MHz的外部工作頻率嚴(yán)重地影響了系統(tǒng)整體的工作性能，芯片組廠商又陸續(xù)制訂出100MHz、133MHz系統(tǒng)外頻的工作標(biāo)準(zhǔn)。這樣SDRAM內(nèi)存也就有了66MHz（PC66）、100MHz （PC100）和133MHz（PC133）三種標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，另外CL值也是衡量?jī)?nèi)存的一個(gè)很重要的標(biāo)準(zhǔn)。某些內(nèi)存廠商為了滿足一些超頻愛好者的需求還推出了PC150和PC166內(nèi)存。

SIMM

Single-In-line-Menory-Modules,是我們經(jīng)常用到的一種內(nèi)存插槽，它是72線結(jié)構(gòu)。如今的內(nèi)存模塊大部分是把若干個(gè)內(nèi)存芯片顆粒集成在一小塊電路板上，然后通過SIMM插槽與主板相連。 SIMM

Single-In-line-Menory-Modules,是我們經(jīng)常用到的一種內(nèi)存插槽，它是72線結(jié)構(gòu)。如今的內(nèi)存模塊大部分是把若干個(gè)內(nèi)存芯片顆粒集成在一小塊電路板上，然后通過SIMM插槽與主板相連。SIMM（Single In-line Memory Modules），單邊接觸內(nèi)存模組。是5X86及其較早的PC中常采用的內(nèi)存接口方式。在486以前，多采用30針的SIMM接口，而在Pentuim 中更多的是72針的SIMM接口，或者與DIMM接口類型并存。人們通常把72線的SIMM類型內(nèi)存模組直接稱為72線內(nèi)存。

Sync SRAM

Sync SRAM－同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，其工作時(shí)鐘與系統(tǒng)同步，Intel推出的430LX，430NX，430FX等支持奔騰的主板芯片組都支持它。但CPU速度大大提升后，該高速緩存被PB-SRAM取代。

Tag RAM

在主板的Cache附近的一個(gè)用來存儲(chǔ)高速緩存數(shù)據(jù)索引地址（Index Address）的RAM，其主要功能是輔助Cache、CPU、芯片組的溝通與存取尋址數(shù)據(jù)。

Tiny BGA

Tiny BGA（小型球柵陣列封裝），Kingmax公司的一項(xiàng)專利技術(shù)，屬于BGA內(nèi)存封裝技術(shù)的一個(gè)分支。其芯片面積與封裝面積之比約為1：1.4。

TOSP II

TOSP II（薄型小尺寸封裝II），SDRAM內(nèi)存最為常見的封裝形式。但是，隨著內(nèi)存的速度和頻率的不斷提高，這種封裝形式越來越不能滿足需要。

TSOP

TSOP（Thin Small Out-Line Package）－薄型小尺寸封裝，TSOP也是DRAM的一種封裝形式，但它的封裝厚度只有SOJ的三分之一。TSOP DRAM 被廣泛運(yùn)用于SODIMM和IC卡式內(nèi)存。

Unbuffered Memory

Unbuffered Memory（不帶緩存的內(nèi)存），PCB上不帶緩存（buffer）或寄存器（register）的內(nèi)存條。 但是，使用這種內(nèi)存的電腦主板上要帶緩存或寄存器。

串行存在探測(cè)

即，SPD（Serial Presence Detect）它是1個(gè)8針的SOIC封裝(3mm*4mm)256字節(jié)的EEPROM (ElectricallyErasableProgrammableROM電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器)芯片。型號(hào)多為24LC01B，位置一般處在內(nèi)存條正面的右側(cè)，里面記錄了諸如內(nèi)存的速度、容量、電壓與行、列地址帶寬等參數(shù)信息。當(dāng)開機(jī)時(shí)PC的BIOS將自動(dòng)讀取SPD中記錄的信息，如果沒有 SPD，就容易出現(xiàn)死機(jī)或致命錯(cuò)誤的現(xiàn)象。它是識(shí)別PC100內(nèi)存的一個(gè)重要標(biāo)志?，F(xiàn)在個(gè)別廠商一方面為了降低生產(chǎn)成本，另一方面又要從表面上迎合 PC100標(biāo)準(zhǔn)，就在PCB板上焊上一片空的SPD。這樣就有可能導(dǎo)致在100MHz以上外頻不能正常工作，還應(yīng)該注意的是一些廠商出的主板(如 INTEL原裝板)一定要BIOS檢測(cè)到SPD中的數(shù)據(jù)才能正常工作，而對(duì)于使用假SPD的內(nèi)存來說，就會(huì)有不兼容或死機(jī)的現(xiàn)象出現(xiàn)。

串行存在偵測(cè)

串行存在偵測(cè)-SPD(Serial Presence Detect)，SPD是一顆8針的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM 電子可擦寫程序式只讀內(nèi)存）, 容量為256字節(jié)~2KB，里面主要保存了該內(nèi)存的相關(guān)資料，如容量、芯片廠商、內(nèi)存模組廠商、工作速度、是否具備ECC校驗(yàn)等。SPD的內(nèi)容一般由內(nèi)存模組制造商寫入。支持SPD的主板在啟動(dòng)時(shí)自動(dòng)檢測(cè)SPD中的資料，并以此設(shè)定內(nèi)存的工作參數(shù)。

磁盤陣列

磁盤陣列（Disk Array）是由一個(gè)硬盤控制器來控制多個(gè)硬盤的相互連接，使多個(gè)硬盤的讀寫同步，減少錯(cuò)誤，增加效率和可靠度的技術(shù)。

帶寬

每個(gè)時(shí)間單位可以傳輸或處理的數(shù)據(jù)量。簡(jiǎn)單地說，帶寬就象管道大小 - 管道越大，可以傳輸?shù)迷蕉唷?/p>

讀寫時(shí)序

內(nèi)存在突發(fā)式（Burst）讀取模式下一次可連續(xù)讀取4組數(shù)據(jù)，其讀取周期可以表示為X-Y-Y-Y。其中X表示讀取第一組數(shù)據(jù)的時(shí)鐘周期數(shù)，一般叫做Lead off time（通常時(shí)間比較長(zhǎng)）；Y表示后三組數(shù)據(jù)的讀寫時(shí)間周期。

服務(wù)器內(nèi)存

服務(wù)器是企業(yè)信息系統(tǒng)的核心，因此對(duì)內(nèi)存的可靠性非常敏感。服務(wù)器上運(yùn)行著企業(yè)的關(guān)鍵業(yè)務(wù)，內(nèi)存錯(cuò)誤可能造成服務(wù)器宕機(jī)并使數(shù)據(jù)永久丟失。服務(wù)器內(nèi)存大多都帶有Buffer（緩存器），Register（寄存器），ECC（錯(cuò)誤糾正代碼），具有普通PC內(nèi)存所不具備的高性能、高兼容性和高可靠性。

靜態(tài)列

DRAM加快數(shù)據(jù)輸出的一種模式。當(dāng)訪問靜態(tài)列（static-column）的數(shù)據(jù)時(shí)，DRAM不斷地激活列輸出緩沖區(qū)，以此來加速輸出。但其缺點(diǎn)是當(dāng)?shù)刂凡贿B續(xù)時(shí)就會(huì)很慢，而且耗電量也比 FPM模式要高。

內(nèi)存總線速度

內(nèi)存總線速度或者叫系統(tǒng)總路線速度，一般等同于CPU的外頻。內(nèi)存總線的速度對(duì)整個(gè)系統(tǒng)性能來說很重要，由于內(nèi)存速度的發(fā)展滯后于CPU的發(fā)展速度，為了緩解內(nèi)存帶來的瓶頸，所以出現(xiàn)了二級(jí)緩存，來協(xié)調(diào)兩者之間的差異，而內(nèi)存總線速度就是指CPU與二級(jí)(L2)高速緩存和內(nèi)存之間的工作頻率。

偶校驗(yàn)

Even Parity－偶校驗(yàn)，一種來檢測(cè)數(shù)據(jù)完整性的方法。與奇校驗(yàn)相反，8個(gè)數(shù)據(jù)位與校驗(yàn)位加起來有偶數(shù)個(gè)1。具體參考Odd Parity奇校驗(yàn)。

奇校驗(yàn)

Odd Parity（奇校驗(yàn)），校核數(shù)據(jù)完整性的一種方法，一個(gè)字節(jié)的8個(gè)數(shù)據(jù)位與校驗(yàn)位（parity bit ）加起來之和有奇數(shù)個(gè)1。校驗(yàn)線路在收到數(shù)后，通過發(fā)生器在校驗(yàn)位填上0或1，以保證和是奇數(shù)個(gè)1。因此，校驗(yàn)位是0時(shí)，數(shù)據(jù)位中應(yīng)該有奇數(shù)個(gè)1；而校驗(yàn)位是1時(shí)，數(shù)據(jù)位應(yīng)該有偶數(shù)個(gè)1。如果讀取數(shù)據(jù)時(shí)發(fā)現(xiàn)與此規(guī)則不符，CPU會(huì)下令重新傳輸數(shù)據(jù)。

閃存

閃存是采用一種新型的EEPROM內(nèi)存（電可擦可寫可編程只讀內(nèi)存），具有內(nèi)存可擦可寫可編程的優(yōu)點(diǎn)，還具有寫入的數(shù)據(jù)在斷電后不會(huì)丟失的優(yōu)點(diǎn)。所有被廣泛應(yīng)用用于數(shù)碼相機(jī)，MP3，及移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備。

隨機(jī)訪問內(nèi)存

隨機(jī)訪問內(nèi)存（RAM）相當(dāng)于PC機(jī)上的移動(dòng)存儲(chǔ)，用來存儲(chǔ)和保存數(shù)據(jù)的。在任何時(shí)候都可以讀寫，RAM通常用作操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行的程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)（可稱作系統(tǒng)內(nèi)存）。不過，當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)時(shí)RAM不能保留數(shù)據(jù)，如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入到一個(gè)長(zhǎng)期的存儲(chǔ)器中（例如硬盤）。正因?yàn)槿绱?，有時(shí)也將RAM稱作"可變存儲(chǔ)器"。RAM內(nèi)存可以進(jìn)一步分為靜態(tài)RAM（SRAM）和動(dòng)態(tài)內(nèi)存（DRAM）兩大類。

信用卡內(nèi)存

Credit Card Memory（信用卡內(nèi)存），主要用于膝上型電腦和筆記本電腦的一種內(nèi)存。其外型尺寸猶如一個(gè)信用卡，因此而得名。

虛擬信道內(nèi)存

NEC 公司開發(fā)的一種改良的DRAM內(nèi)存，數(shù)據(jù)傳輸率為133MHz。其原理是在現(xiàn)在的DRAM IC 中加入一個(gè)虛擬的SRAM作為Cache，以此來維護(hù)數(shù)據(jù)存取的穩(wěn)定性。 VCM 使內(nèi)存的不同區(qū)塊（每塊都有自己的緩存）能夠分別和控制器對(duì)話。如此一來，系統(tǒng)的任務(wù)可以分配到它們各自的虛擬信道里面。同時(shí)運(yùn)行的多個(gè)任務(wù)互相之間不會(huì)爭(zhēng)用緩存，所以系統(tǒng)的整體效率就提高了。

只讀內(nèi)存

只讀內(nèi)存（ROM）相當(dāng)于PC機(jī)上的硬盤，用來存儲(chǔ)和保存數(shù)據(jù)的。ROM數(shù)據(jù)不能隨意更新，但是在任何時(shí)候都可以讀取。即使是斷電，ROM也能夠保留數(shù)據(jù)。

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