產(chǎn)生壞塊的原因是因?yàn)镹AND Flash的工藝不能保證NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，所以，在NAND的生產(chǎn)中及使用過程中會(huì)產(chǎn)生壞塊。

一、壞塊的具體表現(xiàn)：

當(dāng)編程/擦除這個(gè)塊時(shí)，不能將某些位拉高，這會(huì)造成Page Program和Block Erase操作時(shí)的錯(cuò)誤，相應(yīng)地反映到Status Register的相應(yīng)位。

二、壞塊的種類：

1.先天性壞塊

這種壞塊是在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的，一般芯片原廠都會(huì)在出廠時(shí)都會(huì)將壞塊第一個(gè)page的spare area的第6個(gè)byte標(biāo)記為不等于0xff的值。

2. 后天性壞塊

這種壞塊是在NAND Flash使用過程中產(chǎn)生的，如果Block Erase或者Page Program錯(cuò)誤，就可以簡(jiǎn)單地將這個(gè)塊作為壞塊來處理，這個(gè)時(shí)候需要把壞塊標(biāo)記起來。為了和先天性壞塊信息保持一致，將新發(fā)現(xiàn)的壞塊的第一個(gè)page的spare area的第6個(gè)Byte標(biāo)記為非0xff的值。

三、壞塊的處理

 理解了先天性壞塊和后天性壞塊后，我們已明白NAND Flash出廠時(shí)在spare area中已經(jīng)反映出了壞塊信息，因此，如果在擦除一個(gè)塊之前，一定要先check一下spare area的第6個(gè)byte是否是0xff，如果是就證明這是一個(gè)好塊，可以擦除；如果是非0xff，那么就不能擦除。不過，這樣處理可能會(huì)錯(cuò)殺偽壞塊，因?yàn)樵谛酒僮鬟^程中可能由于電壓不穩(wěn)定等偶然因素會(huì)造成NAND操作的錯(cuò)誤。但是，為了數(shù)據(jù)的可靠性及軟件設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)單化，壞塊一個(gè)也不能放過。

四、錯(cuò)殺壞塊的補(bǔ)救方法

如果在對(duì)一個(gè)塊的某個(gè)page進(jìn)行編程的時(shí)候發(fā)生了錯(cuò)誤就要把這個(gè)塊標(biāo)記為壞塊，首先就要把其他好的page里面的內(nèi)容備份到另外一個(gè)空的好塊里面，然后，把這個(gè)塊標(biāo)記為壞塊。當(dāng)發(fā)生"錯(cuò)殺"之后，我們可以在進(jìn)行完頁(yè)備份之后，再將這個(gè)塊擦除一遍，如果Block Erase發(fā)生錯(cuò)誤，那就證明這個(gè)塊是個(gè)真正的壞塊，放心的做好標(biāo)記吧！

最后需要補(bǔ)充說明的是，之所以要使用spare area的第六個(gè)byte作為壞塊標(biāo)記，是因?yàn)镹AND Flash生產(chǎn)商的默認(rèn)約定，例如：Samsung,Toshiba,STMicroelectronics都是使用這個(gè)Byte作為壞塊標(biāo)記的。