RAMBUS技術(shù)是RAMBUS公司開發(fā)的，運用這種RAMBUS技術(shù)的內(nèi)存就把它稱之為RAMDRAM，簡稱之為“RDRAM內(nèi)存”，它與目前市面上的ECC內(nèi)存不同，但它可能同時帶有ECC功能，也有不帶ECC功能的。在RAMBUS內(nèi)存上，沒有專門的ECC的檢錯芯片，從外觀上很難區(qū)分ECC的RAMBUS內(nèi)存和非ECC的RAMBUS內(nèi)存，具有校驗功能的RAMBUS內(nèi)存芯片是18位，而無校驗功能的普通RAMBUS內(nèi)存芯片是16位，具有ECC功能的RDRAM只是在普通的RDRAM中增加了兩個校驗位，但隨著數(shù)據(jù)位的增加檢驗位也要跟著增加，也就是說每16位增加兩個檢驗位，128MB具有ECC功能的RDRAM其實是144MB。

簡單的說RAMBUS內(nèi)存就是一種高性能、芯片對芯片接口技術(shù)的新一代存儲產(chǎn)品，它使得新一代的處理器可以發(fā)揮出最佳的功能。RAMBUS 內(nèi)存可提供600、800和1066MHz三種速度，目前主要有64M，128M，256M，512M四種規(guī)格。RAMBUS公司宣稱這種新的技術(shù)能夠提供10倍于普通DRAM和三倍于PC100 SDRAM的性能，是DDR400內(nèi)存的2倍左右。同時 在時鐘頻率速度上也遠超同類內(nèi)存，并且每條Rambus 內(nèi)存模組均有金屬防護罩，可以有效防止靜電和灰塵對內(nèi)存造成損傷。最大帶寬達1.6GB /秒,有多個高性能、大帶寬的通道,RDRAM 提供更高、更有效的帶寬單根的RAMBUS DRAM，在16位的數(shù)據(jù)傳輸通道上速度可高達800MHz。但要注意的不是所有的機都能用這種RAMBUS內(nèi)存，因為這種技術(shù)真正推出的時間較晚而且不怎么經(jīng)濟，所以目前只有比較早期的主板才能使用RAMBUS內(nèi)存。由于使用起來非常不方便，必須成對使用（單條不能用）而且使用RAMBUS內(nèi)存的時候所有的空插口必須屏蔽掉。還有發(fā)熱量非常大，所有被intel放棄。