我們主要從塊容量、頁數(shù)量、頻率、頁容量、I/O位寬、制造工藝這幾方面進(jìn)行探討。

1．塊容量

擦除操作的基本單位是塊，由于每個(gè)塊的擦除時(shí)間幾乎相同，因而塊的容量將直接決定擦除性能。比如4Gb芯片的塊容量為128KB，1Gb芯片塊容量是16KB。所以，在相同時(shí)間之內(nèi)，4Gb芯片的擦速度是1Gb芯8倍

2．頁數(shù)量

一般來說NAND型閃存，容量越大頁越多、頁越大，尋址時(shí)間越長。

3．頻率

NAND型閃存的工作頻率在20～33MHz，不用說頻率越高性能越好。

4．頁容量

頁容量的提高易于提高容量，更可以提高傳輸性能。因?yàn)槊恳豁摰娜萘繘Q定了一次可以傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量。

5．I/O位寬

NAND型閃存的數(shù)據(jù)線一般為8條，但是現(xiàn)在的大容量NAND型閃存也開始出現(xiàn)16條數(shù)據(jù)線的產(chǎn)品。我們可以這樣理解：相同容量的芯片，當(dāng)數(shù)據(jù)線增加到16條后，讀性能提高70%，寫性能也提高16%左右。

6．制造工藝

閃存的制造工藝是影響晶體管的密度原因之一，并且對(duì)一些操作時(shí)間有較大的影響。目前90nm的制造工藝比較常見，存儲(chǔ)密度高，同時(shí)讀、寫的時(shí)間也要長些。所以工藝制程的提高有利于芯片容量的提高，但不一定有利于縮短讀、寫時(shí)間。隨著技術(shù)的發(fā)展相信65nm工藝制程會(huì)讓NAND型閃存在性能與容量上得到更大的改觀。