DDR3英文全稱Double Data Rate 3，DDR3內(nèi)存將擁有比DDR2內(nèi)存好很多的帶寬功耗比(Bandwidth per watt)，對(duì)比現(xiàn)有DDR2-800產(chǎn)品，DDR3-800、1067及1333的功耗比分別為0.72X、0.83X及0.95X，不單內(nèi)存帶寬大幅提升，功耗表現(xiàn)也好了很多。
 
GDDR3英文全稱Graphics Double Data Rate 3 ，G是graphics的簡(jiǎn)寫。GDDR3是專門為顯卡制定的內(nèi)存顆粒，GDDR3是基于DDR2的架構(gòu)為優(yōu)化圖形處理需要而專門強(qiáng)化和采用更好封裝的DDR2，不能等同于目前市場(chǎng)主流的DDR3內(nèi)存，也可以說(shuō)GDDR3是加強(qiáng)封裝版的DDR2，以4bit的預(yù)取方式讀取數(shù)據(jù)。而GDDR4和GDDR5則對(duì)應(yīng)的是DDR3內(nèi)存架構(gòu)，是以8bit的預(yù)取方式讀取數(shù)據(jù)?？梢苑治龀鯣DDR3和DDR3是完全不同規(guī)格的。

但我們并不能說(shuō)DDR3的內(nèi)存帶寬要遠(yuǎn)小于GDDR3，我們知道：

帶寬=內(nèi)存時(shí)鐘頻率×內(nèi)存總線位數(shù)×倍增系數(shù)/8

DDR3 2000在256bit下帶寬為250X256X8/8=64GB/s

GDDR3能達(dá)到的帶寬，DDR3也基本可以達(dá)到，可以說(shuō)兩者的帶寬是一樣的，但是延時(shí)相差巨大，DDR3(80ns)的延遲是GDDR3(0.8ns)的50~100倍。這也就是為什么使用DDR3內(nèi)存顆粒的顯卡性能損失比GDDR3顆粒的顯卡要大得多的因原。目前的DDR3的規(guī)格普遍要比GDDR3低一些，但同規(guī)格下兩者的差距很小。可以參照DDR2 1066 和DDR3 1066的關(guān)系，取決于延時(shí)和具體應(yīng)用。

由于GDDR3采用的是單端設(shè)計(jì)，并沒(méi)有分開數(shù)據(jù)輸入和寫出通道，再加上GDDR3采用了基于電壓的“偽開漏”界面技術(shù)（pseudo-open drain）。因此GDDR3和GDDR2同樣采用了1.8V電壓標(biāo)準(zhǔn)。 相比較而言DDR3的電壓為1.5V，GDDR3電壓1.8V，所以DDR3比GDD3的發(fā)熱量要低，更加節(jié)能，在功耗上表現(xiàn)較好，并且顯卡也可以在供電上縮水，以達(dá)到降低成本的目的。這也是市面上為什么DDR3顆粒越來(lái)越多替代GDDR3顆粒當(dāng)做顯存原因，綜上所述，可以肯定的說(shuō)，并不是因?yàn)镈DR3在性能比GDDR3有優(yōu)勢(shì)。

我們?cè)诹私饬薌DDR3與DDR3的關(guān)系的基礎(chǔ)上，我們可以總結(jié)出：顯存顆料的技術(shù)發(fā)展一般來(lái)說(shuō)要先內(nèi)存顆粒一步，目前應(yīng)用GDDR3顆粒的顯卡已不是什么新鮮技術(shù)，GDDR4 GDDR5已經(jīng)在許多顯卡上得到了普遍應(yīng)用，而DDR4 DDR5顆粒在PC內(nèi)存中的應(yīng)用與普及還要假以時(shí)日。