一、EPP內(nèi)存方案提出的初衷
2006年NVIDIA和Corsair聯(lián)合發(fā)布了EPP內(nèi)存技術(shù)。英偉達(dá)（NVIDIA）推出的EPP全稱為Enhanced Performance Profiles，中文意為強(qiáng)化效能表現(xiàn)。英偉達(dá)提出EPP解決方案，主要是由于目前JEDEC規(guī)范僅涵蓋至DDR2 800階段，包括對(duì)應(yīng)的SPD(Serial Presence Detect)數(shù)據(jù)也是屬于普遍的標(biāo)準(zhǔn)性規(guī)格。EPP規(guī)格能讓更多模組性能數(shù)據(jù)整合至JEDEC標(biāo)準(zhǔn)SPD中未使用的部份，以使具兼容性的主板能讀取并發(fā)揮各種擴(kuò)增性能的功能，使內(nèi)存的效能達(dá)到頂峰。

二、EPP內(nèi)存技術(shù)原理
從技術(shù)角度來(lái)說(shuō)，EPP除寫入頻率(Clock)等級(jí)外，攸關(guān)內(nèi)存效能的時(shí)序(Timing)參數(shù)也可同時(shí)定義，包含tCL、tRCD、tRP、tRAS及tRC等常見(jiàn)項(xiàng)目，以及適合的工作電壓(vDIMM)與各種驅(qū)動(dòng)內(nèi)存控制器的細(xì)部參數(shù)。支持EPP規(guī)范的雙通道內(nèi)存和主板搭配一起使用時(shí)，主板BIOS能夠通過(guò)讀取內(nèi)存SPD信息，自動(dòng)調(diào)節(jié)內(nèi)存頻率、時(shí)序和電壓等，讓內(nèi)存的頻率組合更多樣化，并同時(shí)兼顧穩(wěn)定性與兼容性，使系統(tǒng)中的內(nèi)存可以工作在最佳狀態(tài)，能輕松將內(nèi)存效能完全發(fā)揮。
簡(jiǎn)單的說(shuō)，EPP技術(shù)可以通過(guò)擴(kuò)展內(nèi)存SPD數(shù)據(jù)和命令區(qū)域?qū)崿F(xiàn)自動(dòng)超頻。透過(guò)EPP技術(shù)，內(nèi)存廠商就可以自由地制定內(nèi)存的默認(rèn)參數(shù)，并把最優(yōu)化的頻率、電壓、時(shí)序等參數(shù)寫入SPD芯片，超頻愛(ài)好者只要在BIOS中設(shè)置SLI-Memory Ready（符合EPP規(guī)范的內(nèi)存）即可，不必對(duì)難以理解BIOS參數(shù)進(jìn)行詳細(xì)設(shè)置。

三、EPP內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展
EPP內(nèi)存規(guī)范是開(kāi)放的，其它內(nèi)存廠可以在付給nVIDIA交納相關(guān)的費(fèi)用后將自己的產(chǎn)品加入到EPP規(guī)范中。規(guī)范中EPP 1.0只能調(diào)整內(nèi)存自身參數(shù)，而EPP 2.0在1.0的基礎(chǔ)上增加了對(duì)CPU頻率、倍頻和電壓的調(diào)節(jié)功能，從而實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的性能表現(xiàn)。不過(guò)由于AMD CPU集成內(nèi)存控制器的原因，nVIDID未在AMD芯片組中推出支持EPP的產(chǎn)品。正由于EPP規(guī)范是開(kāi)方式標(biāo)準(zhǔn)，則會(huì)吸引更多內(nèi)存及主板廠商在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)采納這項(xiàng)技術(shù)。